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2024-04-13 发布于四川
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一种用于碳化硅衬底片CMP抛光液的制备方法.pdf

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本发明涉及碳化硅衬底片抛光工艺技术领域，具体为一种用于碳化硅衬底片CMP抛光液的制备方法；所述CMP抛光液由磨料1‑10％、分散稳定剂0.01‑5％、润湿分散剂0.001％‑0.1％、流变助剂0.1‑0.3％、抛光促进剂0.01‑5％、消泡剂0.01‑0.1％、有机溶剂1‑10％、氧化剂0.5‑5％和pH调节剂组成，余量为去离子水，制备过程将原料按顺序依次加入去离子水中，高速搅拌至均匀混合，室温下陈化10～20分钟，重启搅拌至形成均匀流体浆料，即得碳化硅衬底片CMP抛光液；发明提出一种用于碳化硅

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117866536A

(43)申请公布日2024.04.12

(21)申请号202410023891.6

(22)申请日2024.01.08

(71)申请人纳芯微电子（河南）有限公司

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