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本发明公开了一种自旋电子器件、SOT‑MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路，所述自旋电子器件包括铁电/铁磁异质结构、磁隧道结以及设置在所述铁电/铁磁异质结构和所述磁隧道结之间的重金属层；所述铁电/铁磁异质结构包括层叠设置的多铁性材料层和铁磁层，所述磁隧道结包括层叠设置的自由层、绝缘层以及参考层，所述重金属层设置在所述铁磁层和所述自由层之间。本发明提供的自旋电子器件、SOT‑MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路，可实现无外场辅助条件下的确定性磁化翻转。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN112002722A
(43)申请公布日2020.11.27
(21)申请号202010704837.X
(22)申请日2020.07.21
(71)申请人中国科学院微电子研究所
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