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材料成形技术基础复习思考题

复习思考题

《材料成形技术基础》复习要点

第一章绪论

1.材料成形的方法有、、、等。

第二章材料凝固理论

1.概念：凝固。

2.凝固是将固体材料加热到态，然后使其按预定的尺寸、形状

及组织形态，再次冷却至态的过程。

3.是将固体材料加热到液态，然后使其按预定的尺寸、形状及

组织形态，再次冷却至固态的过程。

4.函数与过程经历的历程无关，只与研究体系所处的状态有关。

5.状态函数与过程经历的历程无关，只与研究体系所处的有关。

6.内能U是状态函数。

7.焓H是状态函数。

8.熵S是状态函数。

9.吉布斯自由能G是状态函数。

10.亥姆霍兹自由能A是状态函数。

11.功W是状态函数。

12.自发过程是指系统从态自发移向态的过程。

13.在没有外界影响下，自发过程不可逆转。

14.在没有外界影响下，自发过程可以逆转。

15.即使有外界影响，自发过程也不可逆转。

16.有外界影响时，自发过程可以逆转。

17.自发过程两个判据是和。

18.自由能最低原理指条件下，体系的自由能永不增大，自发过

程的方向力图体系的自由能，平衡的标志是体系的自由能。

19.吉布斯自由能判据（自由焓判据）指条件下，一个只做体积

功的体系，其自由焓永不，自发过程的方向是使体系自由焓，当

自由焓减到时，体系达到平衡。

20.概念：自发过程；自由能最低原理。

21.如图示，a）-d)分别处于什么润湿状态？

22.根据杨氏方程LG

LSSGσσσθ-=cos，说明当LGLSSGσσσ、、满足什么条件时，

接触界面表现为润湿（不润湿）。

23.由于自发形核是自行发生的形核，因此比非自发形核容易。

24.非自发形核依靠外来质点形核，比自发形核容易。

25.由于非自发形核依靠外来质点形核，因此没有自发形核容易进

行。26.形核剂应具备的基本条件是、、、。

27.凝固时，形核剂应具备的基本条件是什么？

28.粗糙界面的晶体生长要比光滑界面容易。

29.光滑界面的晶体生长要比粗糙界面容易。

30.粗糙界面对应于连续长大，光滑界面对应于侧面长大。

31.固液界面的结构与生长方式的关系是什么？为什么粗糙界面的

晶

体生长要比光滑界面容易？

32.由溶质再分配导致界面前沿平衡凝固温度发生变化而引起的过

冷

称为。

33.参图说明RGL/和C0对晶体形态影响的关系。

34.由溶质再分配导致界面前沿平衡凝固温度发生变化而引起的过

冷

称为成分过冷。

35.概念：微观偏析、宏观偏析、正偏析、逆偏析、密度偏析。

36.是指金属凝固过程中发生的化学成分不均匀的现象。按偏析

区域不同，可分为偏析和偏析两种。

37.偏析指树枝晶或胞状晶心部与晶间成分的差异。

38.指整个铸锭或铸件在大于晶粒尺度的大范围内产生的成分不

均匀现象。

39.宏观偏析指整个铸锭或铸件在大于晶粒尺度的大范围内产生的

现象。

40.对于10k的合金，正偏析时先凝固区域的溶质含量于后凝固

的区域，与正常溶质再分配规律一致。

41.由作用而产生的化学成分不均匀称为密度偏析。

42.由重力作用而产生的化学成分不均匀称为偏析。

43.共生生长时，凝固后析出相依附于表面析出，形成具有两相

共同生长界面的双相核心，然后依靠溶质原子在界面前沿两相间

的，互相不断地为相邻的另一相提供生长所需的组元，使两相协同生

长。

44.时，共晶合金两相并没有共同的生长界面，而是两相分离，

并以不同的生长速率进行凝固。

45.什么是共生生长和离异生长？共生生长的两个基本条件是什么？

46.离异生长时，领先相成团球型因领先相往往属高熔点的非金属，

且生长界面为各向，此时领先相形成形态，金属相只能围绕其表

面生长，形成“晕圈”。

47.离异生长时，“晕圈”是怎么产生的？

48.砂型铸造时，固液相线的间距很，在很长凝固时