第2章-集成电路工程基础(2).ppt

;第二章集成电路工艺基础(续);2.3集成电路中的元件;;;2.集成NPN晶体管的有源寄生效应;VBC0(VBE0),VSC0(VBC0)

寄生PNP晶体管正向有源导通。有电流流向衬底，影响NPN晶体管的正常工作。;（3）减小有源寄生效应的措施;3.集成NPN晶体管的无源寄生效应;(1)集成NPN晶体管中的寄生电阻;减小集电极串联电阻措施:

n+埋层电阻较小，旁路外延层电阻

穿透磷扩散，形成欧姆接触

薄外延

图形结构和尺寸：加宽集电极引线孔的宽度;③基区电阻rB

集成晶体管和分立晶体管一样，从基极接触孔到有效基区之间存在相当大的串联电阻，由于集成晶体管的各电极都由表面引出，所以其基极电流平行于发射结和集电结之间，是横向流动的。

rB=rB1+rB2=R3+R2+R1

基极串联电阻引起

发射极电流集边效应，

还影响高频增益和

噪声性能。;(2)集成NPN晶体管中的寄生电容;4.图形尺寸与晶体管特性???数的关系;图形尺寸与晶体管特性参数的关系（续）;5.减小无源寄生效应的措施;6.集成NPN晶体管常用图形及特点;（2）双基极条形

与单基极条形相比：

基极串联电阻小

电流容量大

面积大

寄生电容大

;（3）双基极双集电极形

与双基极条形相比：

集电极串联电阻小

面积大

寄生电容大;（4）双射极双集电极形

与双基极双集电极形相比：

集电极串联电阻小

面积大

寄生电容大;（5）马蹄形（U型）

电流容量大

集电极串联电阻小

基极串联电阻小

面积大

寄生电容大;（6）梳状

具有大的电流容量;(1)提高NPN管β值的途径

①提高发射区浓度（重掺杂理论）

②降低基区浓度（同时采用高阻外延）

③减薄基区宽度

（加深发射结深度或

减小集电结的深度）

;(2)扩散穿通型超增益管

采用后两种途径，形成两种结构

双磷扩散结构：增加一次N+发射区扩散

发射区结深更深，基区宽度变小，内基区杂质浓度变低，增益大大提高

双硼扩散结构：增加一次P+基区扩散

比普通管基区扩散的结深浅，浓度低，增益大大提高

基区接触孔处及外基区周围与普通管基区同时进行扩散，，以减小基极串联电阻;(3)扩散穿通型超增益管的特点

①采用圆形发射区，以获得最小周长

??应用时BC结偏置限制在0V左右，以减小基区宽度调制的影响

;作业;1.集成NPN管与分立NPN管有什么不同？

2.有源寄生效应有何影响？如何减小或消除？

3.无源寄生有何影响？

4.NPN管图形尺寸与其主要参数之间有什么关系？

5.超增益管BC结的偏压为什么要限制在0伏左右？;二）集成电路中的PNP晶体管;1.横向PNP管的结构和有源寄生效应;(1)横向PNP管工作在正向工作区;(2)横向PNP管工作在反向工作区;(3)横向PNP管工作在饱和区;电流增益β低，一般NPN管的β=100—500，而横向PNP的β=10—50。

特征频率fT低，受WbL和寄生PNP影响。

减小寄生效应的措施：

采用N+埋层：使纵向寄生PNP管的基区宽度增大；减小了寄生PNP管的基区电阻，使其注入效率降低。

寄生PNP的影响，只有从发射区侧面注入的空穴才对横向PNP管的电流增益有贡献。减小发射区面积与周长之比，将发射区设计为正方形。;(5)横向PNP管常用图形;横向PNP管常用图形（续）;纵向结构，故又称为纵向PNP晶体管；

各结面较平坦，发射区面积可以做得很大，因此，可以在较大电流下工作；

衬底(集电极)电位固定(最低电位)，因此，只能用作集电极接最低电位的射极跟随器；

因为衬底作为集电区，所以不存在有源寄生，不用加N+埋层；

因为基区是外延层，而外延层电阻率一般较大，因此，基区电阻较大。基区(外延层)上最好覆盖N+扩散层。;CMOS工艺中的衬底PNP管;作业;思考题;三）集成电路中的MOS晶体管;2.MOS晶体管常用图形;完整的MOS管图形;体效应;;消除场区寄生MOS管效应的措施;;消除寄生双极晶体管影响的措施;;必要条件：

1.两个发射结均正偏

2.βnpn*βpnp1

3.IPowerIH;版图设计上消除闩锁效应措施：

1.加大MOS管源漏区距阱边界的距离，减小寄生管的β值，使βnpn*βpnp1。

2.充分保证P衬底接最低电位，N阱接最高电位，减小RS和RW，使发射结不正偏导通;6.小尺寸MOS器件存在的问题（二阶效应）;多晶硅腐蚀误差及源漏区注入的侧向扩散使沟道长度L减小;小尺寸MOS器件存在的问题（续）;;小尺寸MOS器件存在的问题（续）;7.按比例缩小理论;采用恒电场CE缩减方案,缩减因子为α时,各电路指标变化。;恒电场CE缩减方案;作业;四）集成电路中的二极管;1.一般集成二极管