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本发明公开了一种碳化硅高温氧化炉，包括炉体，其炉体上设有进气口，工作时，碳化硅器件水平设置在高温氧化炉中，炉体上设有n个进气口，4≦n≦8，这些进气口沿炉体周向均匀分布，每个由一个气体质量流量计单独控制，炉体的炉顶至少部分采用透光材料；高温氧化炉配备有碳化硅氧化层厚度检测系统和氧气流量反馈控制系统；碳化硅氧化层厚度检测系统采用膜厚监测仪，其位置可变动，以透过炉顶的透光区与炉内的碳化硅器件的不同位置相对；氧气流量反馈控制系统与膜厚监测仪和气体质量流量计分别相连，其接收膜厚监测仪传来的膜厚测量数据，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117906382A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202311740536.2F27D1/02(2006.01)
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