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本发明涉及一种半导体钛蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：过氧化氢8‑25份；有机多膦酸及其衍生物1‑20份；多羧酸铵盐1‑7份；磷酸酯醚类化合物0.5‑2份；超纯水40‑65份；本发明还公开了上述蚀刻液的制备方法与应用。本发明的钛蚀刻液利用磷酸酯醚和多羧酸铵盐在分散和乳化方面具有互补的作用以及磷酸酯醚和多羧酸铵盐还具有不同的表面活性和润湿性能协同增效实现蚀刻速率的提升。本发明中有机多膦酸及其衍生物可以延缓过氧化氢的分解，提升钛蚀刻液的稳定性，磷酸酯醚和多羧酸铵盐在环境适应性和稳定性方面具有互
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117904632A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202311764348.3
(22)申请日2023.12.20
(71)申请人浙江奥首材料科技有限公司
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