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一种新型ITO靶材及其制备方法.pdfVIP

一种新型ITO靶材及其制备方法.pdf

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    本发明涉及ITO薄膜领域，具体公开了一种新型ITO靶材及其制备方法，靶材包括氧化铟和氧化锡，两种配比为90：10；制备方法包括以下步骤，分别在不同温度下煅烧不同配比的氧化铟和氧化锡，再将两种不同的混合粉体重新组合成氧化铟和氧化锡质量占比为90：10的第三种混合粉体，往第三种混合粉体中加入质量占比0.5％‑1％的添加剂，重新烧结。以该制备方法制出的ITO靶材显著减少了第二相，在显微组织图像中所占比例不超过5％，优化了靶材的导电性和溅射的均匀性。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117902893A

    (43)申请公布日2024.04.19

    (21)申请号202410082789.3C23C14/35(2006.01)

    (22)申请日2024.01.

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