单级晶体管小信号放大器 - 南京航空航天大学课程建设.docxVIP

单级晶体管小信号放大器

一、实验目的

.掌握单级放大器的一种设计方法

.掌握晶体管放大器静态工作点的放置与调整方法。

.掌握放大器性能的测量和调整方法。

二、实验原理

.电路工作原理

晶体管放大器中，广泛应用工作点稳定的阻容耦合共射极放大器，如图3-2-1所示0+Vcc

cUi0+oC,

c

Ui

0

+o

C,+卜

十0—II

①静态工作点Q主要由Rbi、Rb2、Re、Rc及电源电压+V”所决定。该电路利用电阻Rbi、Rb2的分压

固定基极电位Vbqo如果满足条件L?Ibq，当温度升高时,Icqf—Veqt—VbeIfIbqIfIcqI，结

果抑制了Icq的变化，从而获得稳定的静态工作点。

般取只有当Ii?Ibq时，才能保证Vbq恒定。这是工作点稳定的必要条件,

般取

，=（5

，=（5?10）/%（硅管）

L=（10?20）兀铭管

%=（3?5）v（硅管）

%=（1?3）V（楮管）

②此放大器是交流放大器中最常用的一种基本单元电路。交流信号经耦合电容C1加到基极，引起基极电流作相应的变化，从而控制集电极电流作更大的变化。它将在RC上产生交流电压，通过电容C2馈送到负载电阻Rl上。这个输出电压Vo比输入电压Vi放大了Av倍。

为了使放大器正常放大，一定要设置合适的静态工作点QoQ点应选择在三极管特性曲线的放大区的中间。对于小信号放大器。一般取Icq=0.5?2mA,

电路的静态工作点由下列关系式确定

CQCQ

CQ

Rb2Vbq

Rb2

Vbq=Vbq

V~（5-10）IcqP

Rbi

Rbi

V-V

VCCVBQ

?L

VcEQ=Vcc_【CQ(Rc+Re)

阻容耦合放大器由于有耦合电容Cl、C2及旁路电容Ce的存在，将使放大器增益Av随信号频率下降而下降，幅频特性曲线如图3-2-2所示。

图3-2-2

中间区域放大倍数最大，且基本不变，记为中频放大倍数Avm，而频率高于或低于该区域放大倍数都要下降，当Av下到0.707Avm所对应的频率应为储和仇分别是放大器的上限频率和下限频率。Av、储和九可按下式计算：

Av=—BRc

Av=—B

Rc〃R]

1

2k(Rc//Rl)C0

式中Re=Re//［(Rs+Rbe)/(1+B)］通常Rsvg，可略去Rs。又以为，G、C2对九的影响小于Ce，可略去C］、C2o放大器的垢将取决于集电极负载，三极管本身极间电容和外部线路分布电容，为了消除分布电容大小不一的影响，又能满足命的要求往往加上较大容量的Coo

.设计举例

设计一阻容耦合单级晶体管放大器

已知Vcc=+12V,Rl=1.5KQ,Vi=10MV,f=lkHz的正弦波

要求：Av=40,放大器工作点稳定

(1)确定电路及晶体管

因为只要求放大器工作点稳定及Av=40而无其它要求，因此可采用图3-2-1所示的分压式偏置共射极放大器，晶体管选用高频小功率管3DC8,通常要求BA”故选B=60

计算元件参数

取IcQ=2mA,Vbq=4V得

VBO-VBE

R口x/———=1.65KQ取标称值1.5kQ

T

lcq

Rr?

Rr?

dZ

52B=20KQ(5?1。%

V-V

Rb苫ccBQRb2=40KQ

Vbq

“八c26mA i

rbe=200+P=1.5k。

IrnmA

=0.6KQP

则Rc

对于音频小信号放大器经验是：

输入、输出耦合电容Cl、C2通常取（5-20）吁，在此取10吁

射极旁路电容Ce通常取（50?200）叶，在此取100呼，Co取2000pF

三、设计任务

.预习要求

⑴掌握小信号低频放大器静态工作点的选择原则

⑵掌握放大器主要指标的定义及其测量方法

.设计课题：单级晶体管小信号放大器的设计

已知条件：Vcc=+12V,RL=10mV,f=lkHz的正弦波

⑴基本技术指标要求Av=50, 放大器工作点稳定

⑵提高性课题

设计一单级放大电路，要求Av=50,并能通过此电路观察Q点变化对输出波形的影响四、实验步骤

在面包板上安装电路，力口+12V电源

测量与调整静态工作点，Veq、Vbq、Vcq使Q点处于三极管的放大区

用低频信号发生器加输入信号，测V。同时用示波器观察V。波形应不失真，计算Av=V0/Vi测放大器的输入阻抗Ri，输出阻抗Ro

⑴测R/

在信号源与放大器电路之间串接一个10K。电阻，如图3-2-4所示

凡

10k

信号源4’放大器

信号源

4’

放大器

R.

hu—

图3-2-4

V「二ViRi

K+Ri

VAR.=——!R,v、-v「

⑵测Ro

如图325所示，可将放大器等效成一个电压源V。，（即空载输出电压）和Ro