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中华人民共和国电子行业标准
FL6117SJ21165-2016
MEMS惯性器件湿法腐蚀工艺技术要求
TechnicalrequirementsforMEMSinertialdeviceswetetchingprocess
SJ21165-2016
目lj~
本标准的附录A、附录B是资料性附录。
本标准由中国电子科技集团公司提出。
本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本标准起草单位:巾国电子科技集团公司第十三研究所。
本标准主要起草人:胡小东、任霄峰、杨型军、青超、任倩婷、苏日丽、吝海锋、肖戚盛。
SJ21165-2016
MEMS惯性器件湿法腐蚀工艺技术要求
1范围
本标准规定了h在EMS惯性器件制造过程中湿法腐蚀的工艺流程、工艺要求和检验要求。
本标准适用于圆片上铝、金、铭、铁、氧化硅等薄膜湿法腐蚀以及硅各向异性湿法腐蚀(以下简称
硅湿法腐蚀)的工艺。
2规范性引用文件
、、哥’韧的引用文件,其随后所有的
情事标准达成协议的各方研究
三I重击木标准。
GB/
3.1
4一般要求
SJ21165-2016
4.2环境要求
4.2.1净化环境
工艺间净化条件应符合GB厅25915.1-2010中ISO6级规定。
4.2.2温度
工作间的环境温度应控制在20℃~24℃。
4.2.3相对湿度
工作间的相对湿度应控制在30%~70%0
4.2.4工作场所
本工艺应在洁净厂房内进行,洁净广房应符合GB50073“2013规定。
工作场所应整洁有序,有良好的照明条件,湿法腐蚀工作区的光照度应不低于7501x,检验工作区
的光照度应不低于lOOOlx。
4.3安全要求
4.3.1工艺间人员应穿防静电净化服、防静电工作鞋,佩戴一次性口罩和手套。
4.3.2检查由水、电引起的安全隐患。
4.3.3设备必须接地可靠、安全。
4.3.4按设备操作规程进行操作,防止事故的发生。
4.3.5腐蚀液操作时应在通风柜中进行,佩戴防护口罩、手套、眼镜等护具。
4.3.6各种水浴加热槽,应定期检查和添加去离子水,使水位高度满足设备要求。
4.3.7各种湿法腐蚀或清洗工作开始前,台面出现的液体一律按不明液体处理,保持台商干燥。
4.3.8使用后的各种废弃溶液应合理处置,废酸应回收在固定容器中,定期回收处理。
4.3.9工艺操作应在排风正常的情况下工作,排风停止时应终止工作,并采取相应的应急处理措施。
4.3.10工艺过程中产生的尾气出废气管道接入厂房尾气管道,禁止随意排放。
4.4材料要求
工艺所需主要材料及要求见表1,所用材料应严格按照相关存储条件存放,在有效期内使用。
表1主要材料
名称技术要求用途
四甲基氢氧化镇分析纯,10%硅湿法腐蚀
分析纯
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