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- 2024-04-26 发布于广东
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空位扩散机制---4.其它机制:环形换位机制,挤列机制等。铜不同扩散机制下所需能量?第31页,共58页,2024年2月25日,星期天五、影响扩散的因素
1.温度D=D0exp(-Q/RT)有lnD=lnD0-(Q/RT)如图扩散系数与T的半对数坐标图中斜率tgα=Q/R温度升高,扩散原子获得能量超越势垒几率增大且空位浓度增大,有利扩散,对固体中扩散型相变、晶粒长大,化学热处理有重要影响。工业渗碳:1027℃比927℃时,D增加三倍,即渗碳速度加快三倍第32页,共58页,2024年2月25日,星期天五、影响扩散的因素---2.晶体缺陷短路扩散:原子沿点、线、面缺陷扩散速率比沿晶内体扩散速率大,沿面缺陷的扩散(界面、晶界):原子规则排列受破坏,产生畸变,能量高,所需扩散激活能低第33页,共58页,2024年2月25日,星期天五、影响扩散的因素---2.晶体缺陷低温下明显,高温下空位浓度多,晶界扩散被晶内扩散掩盖晶粒尺寸小,晶界多,D明显增加第34页,共58页,2024年2月25日,星期天五、影响扩散的因素---2.晶体缺陷沿线缺陷(位错)的扩散位错象一根管道,沿位错扩散激活能很低,D可以很高,但位错截面积总分数很少,只在低温时明显,如低温时过饱和固溶体分解时沉淀相在位错形核冷变形,增加界面及位错,促进扩散。
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