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  • 2024-04-27 发布于江苏
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等离子体改性提高染污硅橡胶绝缘沿面性能.docx

高电压技术Vol.50,No.3:1301-1310第50卷第3

高电压技术

Vol.50,No.3:1301-1310

2024年3月31日HighVoltageEngineeringMarch31,2024

DOI:10.13336/j.1003-6520.hve等离子体改性提高染污硅橡胶绝缘沿面性能

刘宇舜1,陈奕凯2,3,余嘉川2,牛雷1,王浩舟2,3,任成燕2,3

(1.国网安徽省电力有限公司电力科学研究院,合肥230601;2.中国科学院电工研究所等离子体科学和能源转化北京市国际科技合作基地,北京100190;3.中国科学院大学,北京100049)

摘要:表面积污后电荷消散速率减慢与憎水性丧失是降低硅橡胶(SIR)复合绝缘子沿面绝缘性能的重要因素。文中采用常压脉冲滑动弧等离子体发生装置,对人工涂污高温硫化(HTV)硅橡胶进行不同时间(0~3min)的表面改性。利用表面电位测量系统和傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)研究等离子体处理对染污硅橡胶试样表面电荷运动特性、憎水性及

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