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灯生产工艺流程

LED

第一部分：LED制造流程概述

LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片

生长；中游的芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品

封装。上游包括单晶棒（砷化镓、磷化镓）单晶片衬底在衬底

上生长外延层外延片。成品为单晶片和外延片。中游制程包括

金属蒸镀光罩腐蚀热处理（正负电极制作）、切割测试分选。

成品为芯片。下游封装包括固晶焊线树脂封装切脚测试分选。

成品为LED灯珠、LED贴片和组件。

第二部分：LED芯片生产工艺

LED照明能够应用到高亮度领域归功于LED芯片生产技

术的不断提高，包括单颗晶片的功率和亮度的提高。LED上

游生产技术是LED行业的核心技术，目前在该技术领先的国

家主要有日本、美国、韩国和我国台湾。我国大陆在LED上

图，包括正极、型GaN、P型AlGaN、InGaN量子阱

（well）、N型InGaN负极、N型AlGaN、N型GaN、P型

GaN、GaN缓冲层（buffer）和蓝宝石衬底（subatrate）。

生产出高亮度LED芯片一直是世界各国全力投入研制的

目标，也是LED发展的方向。目前，利用大功率芯片生产出

来的白光1WLED流明值已经达到150lm之高。LED上游技术

的发展将使LED灯具的生产成本越来越低，更显LED照明的

优势。以下以蓝光LED为例介绍其外延片生产工艺如下：首

先在衬底上制作氮化鎵(GaN)基的外延片，这个过程主要是在

金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好

制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按

照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝

宝石、碳化硅和硅衬底，以及GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD利用气相反应物(前驱物)及族的有机金属和Ⅴ

族的NH3在衬底表面进行反应，从而在衬底表面上沉积出所

需要的外延片。LED芯片生产工艺的不断提高，将为LED照

明产业的发展提供更加稳定和高效的技术支持。

150±10℃，并且

焊线方式应该参照固晶焊线图。瓷嘴42K需要更换一次。在

焊线时，第二焊点必须按照固晶焊线图上的第二焊点位置（打

斜线区域）进行焊接。为了进行焊接，需要使用1.2mil的瓷

嘴和大功率打线制具。在进行点胶之前，需要使用电子称、烤

箱、抽真空机和点胶机。

在进行点胶时，需要将材料用150℃±10℃烘烤15分钟，

然后将Lens烘烤80℃±10℃/20min，并在套Lens前烘烤。在

夹起Lens并确定双耳朵位置后，需要将其放置于支架上白壳

配合孔内，并压到位。在灌胶时，需要使用电子称、烤箱、抽

真空机、点胶机、镊子、棉花棒和不锈钢盘。使用Silicone乔

越OE-6250(A):乔越OE-6250(B)=1:1进行配胶，并在点胶时将

点胶机气压先调至0.15MPA。配好的胶需要在30分钟后根据

胶的粘度来进行调整，直至胶内用完，且一次不宜配太多胶。

将整片支架倒置水平后，用力压实，并用棉花棒将多胶部分擦

拭干净。灌好胶后不用烘烤，在常温下将支架水平倒置整齐存

放在不锈钢盘内24小时即可。

脚总长度应为14.5mm±0.2mm。在弯脚时要注意Pin脚的

长度及平整度。外观检验需要使用静电环和维明658H测试机、

积分球以及Tapping机和静电袋。在进行QA时，需要使用维

明658H测试机进行测试，IF=350mA，VF>4.0V为不良，

VR=5V，IR>10uA为不良。测试机只能开单向电源测试。最

后，产品需要使用CarrierTape包装，1000PCS/卷，1卷/袋，

10袋/箱。

VR=5V，IR>10uA为不合格条件。在测试后，LED灯具

外观应该没有汽泡、杂物，铜柱也不应该发黄。此外，包装应

该正确且外观无缺损。

LED灯具是一种高效节能灯具，利用LED作为光源结合

光学、热学、力学、电学、美学等学科知识生产而成。生产

LED节能灯具需要考虑多个因素，如光学、热学、力学、电

学和美学等。图2.5展示了LED节能