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特征频率f
T
:当f=f
T
时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于f,电路将不正常工作.
T
工作电压/电流
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
h
FE
电流放大倍数.
V
CEO
集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
P
CM
最大允许耗散功率.封装形式
指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法。为了便于比较,将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表,供大家参考。
名称 共发射极电路 共集电极电路(射极输出器) 共基极电路
输入阻抗输出阻抗
中(几百欧~几千欧) 大(几十千欧以上)中(几千欧~几十千欧)小(几欧~几十欧)
小(几欧~几十欧)
大(几十千欧~几百千欧)
电压放大倍数大
电流放大倍数大(几十)
功率放大倍数大(约30~40分贝)
小(小于1并接近于1)大(几十)
小(约10分贝)
大
小(小于1并接近于1)中(约15~20分贝)
三极管的三种工作状态三极管的三种工作状态(放大、截止、饱和);放大电路的静态、动态;直流通路、交流通路;截止状态:当加在三极管发射结的电压小于
三极管的三种工作状态
三极管的三种工作状态(放大、截止、饱和);放大电路的静态、动态;直流通路、交流通路;
截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。一般将IB≤0的区域称为截止区,在图中为IB=0的一条曲线的以下部分。此时IC也近似为零。由于各极电流都基本上等于零,因而此时三极管没有放大作用。
其实IB=0时,IC并不等于零,而是等于穿透电流ICEO。
一般硅三极管的穿透电流小于1μA,在特性曲线上无法表示出来。锗三极管的穿透电流约几十至几百微安。
当发射结反向偏置时,发射区不再向基区注入电子,则三极管处于截止状态。所以,在截止区,三极管的两个结均处于反向偏置状态。对NPN三极管,UBE<0,UBC<0。
放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。此时发射结正向运用,集电结反向运用。在曲线上是比较平坦的部分,表示当IB一定时,IC的值基本上不随UCE而变化。在这个区域内,当基极电流发生微小的变化量ΔIB时,相应的集电极电流将产生较大的变化量ΔIC,此时二者的关系为
ΔIC=βΔIB
该式体现了三极管的电流放大作用。
对于NPN三极管,工作在放大区时UBE≥0.7V,而UBC<0。
饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。曲线靠近纵轴附近,各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区。在这个区域,不同IB值的各条特性曲线几乎重叠在一起,即当UCE较小时,管子的集电极电流IC基本上不随基极电流IB而变化,这种现象称为饱和。此时三极
管失去了放大作用,IC=βIB或ΔIC=βΔIB关系不成立。
高频差 好 好
多级放大器中间级 低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路
一般认为
一般认为UCE=UNE,即UCB=0时,三极管处于临界饱和状态,当UCE<UBE时称为过饱和。三极管饱和时的管压降用UCES表示。在深度饱和时,小功率管管压降通常小于0.3V。三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态。对NPN三极管,UBE>0,UBC>0。
根据三极管工作时各个电极的电位高低,就能判别三极管的工作状态,因此,电子维修人员在维修过程中,经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压,从而判别三极管的工作情况和工作状态。
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