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Ag/SiNWs肖特基二极管温敏特性的研究的开题报告

1.研究背景和意义

现代电子技术中，温敏传感器是一类重要的传感器，具有广泛的应用。近年来，利用纳米材料结构构建的温敏器件，由于其具有高灵敏度、快速响应、低功耗等优点，而备受关注。

在纳米材料结构中，银纳米线（AgNWs）是一种重要的材料，因其具有良好的导电性和透明性，与传统材料相比具有更好的性能。此外，AgNWs/Si复合材料还具有优异的光学和电学性质，能够加强二者性能的协同作用，被广泛应用于光电子器件中。

在这一背景下，本文通过构建Ag/SiNWs肖特基二极管并对其进行温敏特性研究，旨在为相关领域的研究提供新思路和新方向，同时探究Ag/SiNWs复合材料在温敏器件中的潜在应用价值。

2.研究内容和方法

本研究将通过以下步骤完成：

（1）制备Ag/SiNWs复合材料。使用化学气相沉积（CVD）方法在n-Si基片上得到Si纳米线；这些纳米线上将电沉积Ag纳米线，得到Ag/SiNWs复合结构。

（2）结合现有文献，建立Ag/SiNWs肖特基二极管的理论模型，通过理论计算得到器件的响应电流和压降与温度的关系。

（3）合成Ag/SiNWs肖特基二极管，通过温度控制器和数字万用表等仪器测试器件的温敏特性，并分析电流-温度和压降-温度的变化关系。

3.预期结果和意义

通过研究Ag/SiNWs肖特基二极管在不同温度下的电学特性，本文预期获得以下结论：

（1）Ag/SiNWs复合材料在肖特基二极管中表现出优于其他材料的温敏性能，具备温度传感器的应用潜力。

（2）在对Ag/SiNWs肖特基二极管的温敏特性进行分析后，本文可以进一步缩小其应用领域的范围，提高其使用的效率。

研究结果可以更好地促进在纳米材料结构中制作高性能传感器的发展，提高传感器的精度和可靠性。