各种场效应管的原理和特性曲线讲解.ppt

3.1场效应管的工作原理JFET与MOSFET工作原理相似，它们都是利用电场效应来控制电流，即都是利用改变栅源电压vGS，来改变导电沟道的宽度和高度，从而改变沟道电阻，最终达到对漏极电流iD的控制作用。不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。(下面我们以N沟道JFET、N沟道增强型为例进行分析）返回第9页,共36页，2024年2月25日，星期天3.1.1JFET管工作原理N沟道JFET管外部工作条件VDS0(保证栅漏PN结反偏)VGS0(保证栅源PN结反偏)P+P+NGSD+VGSVDS+-PN结反偏才能有效控制导电沟道的宽度和高度，从而才能有效控制电流。VGS对沟道宽度的影响VDS对沟道宽度的影响返回第10页,共36页，2024年2月25日，星期天VGS对沟道宽度的影响|VGS|?阻挡层宽度?若|VGS|继续?沟道全夹断使VGS=VGS(off)夹断电压若VDS=0NGSD+VGSP+P+N型沟道宽度?沟道电阻Ron?返回第11页,共36页，2024年2月25日，星期天VDS对沟道的控制（假设VGS一定）VDS很小时→VGD?VGS由图VGD=VGS-VDS因此VDS?→ID线性?若VDS?→则VGD?→近漏端沟道?→Ron增大。此时Ron?→ID?变慢NGSD+VGSP+P+VDS+-此时W近似不变即Ron不变VDS对沟道宽度的影响第12页,共36页，2024年2月25日，星期天当VDS增加到使VGD?=VGS(off)时→A点出现预夹断若VDS继续?→A点下移→出现夹断区此时VAS=VAG+VGS=-VGS(off)+VGS（恒定），VDS的增加主要加在D、A之间形成很强的电场，由S向D行进的多子越过耗尽区到达漏极形成电流NGSD+VGSP+P+VDS+-ANGSD+VGSP+P+VDS+-A若忽略沟道长度调制效应，则近似认为l不变（即Ron不变）。因此预夹断后：VDS?→ID基本维持不变。返回第13页,共36页，2024年2月25日，星期天N沟道EMOS管工作原理N沟道EMOS管外部工作条件VDS0(保证栅漏PN结反偏)。U接电路最低电位或与S极相连(保证源衬PN结反偏)。VGS0(形成导电沟道)PP+N+N+SGDUVDS-+-+VGS栅?衬之间相当于以SiO2为介质的平板电容器。增强型管子沟道形成原理第14页,共36页，2024年2月25日，星期天3.1.2N沟道EMOSFET沟道形成原理假设VDS=0，讨论VGS作用PP+N+N+SGDUVDS=0-+VGS形成空间电荷区并与PN结相通VGS?衬底表面层中负离子?、电子?VGS?开启电压VGS(th)形成N型导电沟道表面层npVGS越大，反型层中n越多，导电能力越强。反型层返回第15页,共36页，2024年2月25日，星期天3.2场效应管的伏安特性曲线（以NEMOSFET为例）由于场效应管的栅极电流为零，故不讨论输入特性曲线。共源组态特性曲线：ID=f(VGS)VDS=常数转移特性：ID=f(VDS)VGS=常数输出特性：+TVDSIG?0VGSID+--转移特性与输出特性反映场效应管同一物理过程，它们之间可以相互转换。NDMOSFET的特性曲线NJFET的特性曲线第16页,共36页，2024年2月25日，星期天输出特性曲线可划分四个区域：ID只受UGS控制，而与UDS近似无关，表现出类似三极管的正向受控作用。非饱和区（又称可变电阻区）特点：ID同时受UGS与UDS的控制。ID/mAUDS/V0UDS=UGS–UTUGS=5V3.5V4V4.5VNEMOS管输出特性曲线非饱和区、饱和区、截止区、击穿区。饱和区（又称恒流区）特点：VGS(