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940nm半导体激光器的结构设计与芯片制备中期报告

本次中期报告的内容主要包括940nm半导体激光器的结构设计与芯片制备过程。

一、结构设计

1.波长选择：根据需求选择940nm波长，该波长适用于红外通信、激光雷达、光学测距等领域。

2.材料选择：采用AlGaAs材料作为激光器的有源层。该材料在940nm波长下具有较高的光电转换效率和光输出功率。

3.结构设计：采用常见的电流注入式反向结构设计，即p-n结后面接有n-p结。该结构简单易制备，具有较高的电流注入效率和较低的自发辐射现象。

二、芯片制备

1.材料生长：在GaAs衬底上通过金属有机化学气相沉积技术（MOCVD）生长几个半导体材料层。包括n-typeGaAs层、n-typeAlGaAs层、undopedAlGaAs层、p-typeAlGaAs层和p-typeGaAs突破层。

2.结构制备：在制备好的AlGaAs/GaAs材料上，采用电子束光刻、干法刻蚀等工艺制备出激光器的结构。包括加工出n-contact电极、p-contact电极和光学井。

3.特性测试：对制备好的芯片进行电学和光学测试，包括伏安特性测试、L-I曲线测试、波长测试、光谱分析等，以评估制备好的激光器性能。

未来工作计划：

1.继续对生长工艺进行优化，提高材料生长质量。

2.进一步优化结构设计，以提高激光器的性能和稳定性。

3.根据测试结果对芯片进行改进和调整，以满足实际应用需求。