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缺陷化学：凡从理论上定性定量地把材料中的点缺陷看作化学实物，并用化学热力学的原理来研究缺陷的产生、平衡及其浓度等问题的一门学科称为缺陷化学。3.1.2克罗格-明克的点缺陷符号
Kr6ger-Vink(克罗格—明克)的点缺陷符号用上标z表示缺陷的有效电荷用主要符号A表明缺陷的种类用下标b表示缺陷位置如“.”表示有效正电荷;“，”表示有效负电荷;“×”表示有效零电荷。用MX离子晶体为例（M2＋；X2－）
1、空位：用VM和Vx分别表示M原子空位和X原子空位，V表示缺陷种类，下标M、X表示原子空位所在的位置。必须注意，这种不带电的空位是表示原子空位。
在MX晶体中，如果取走一个M2+,晶格中多了两个e,因此VM必然和这两个e/相联系，形成带电的空位。比如，MgO晶体中，镁离子空位表示为
如果取出一个X2－,即相当于取走一个X原子加2e，那么X空位上就留下一两个电子空穴(h.)即
2、填隙原子：Mi和Xi分别表示M及X原子处在间隙位置上，如果是填隙离子，把有效电荷加在右上角即可。比如，MgO晶体中形成一个间隙镁离子，表示为3、错放位置：MgO晶体中一个镁离子错放到氧离子的位置上，表示为Mx表示M原子被错放在X位置上
4、溶质原子：LM表示L溶质处在M位置，Sx表示S溶质处在X位置。例如CaO进入MgO晶格中，Ca取代Mg写作CaMg。Ca原子若填隙在MgO晶格间隙中写作Cai，如果是钙离子需在右上角加两点。
5、自由电子及电子空穴：在有些情况下，有的电子并不一定属于某一个特定位置的原子，在某种光、电、热的作用下，可以在晶体中运动，这些电子用符号e，表示。同样也可能在某些缺陷上缺少电子，这就是电子空穴用h·表示。
6、带电缺陷：7、缔合中心：不同价离子之间的取代如Ca2+取代Na+——Ca·NaCa2+取代Zr4+——Ca”Zr在晶体中除了单个缺陷外，有可能出现邻近两个缺陷互相缔合，把发生缔合的缺陷用小括号表示，也称复合缺陷。在离子晶体中带相反电荷的点缺陷之间，存在一种有利于缔合的库仑引力。如：在NaCl晶体中，
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