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SiGeSiOEIC光接收机关键器件基础研究的开题报告

题目：SiGeSiOEIC光接收机关键器件基础研究

一、研究背景和意义

近年来，通信技术的快速发展推动了光电子器件的迅速发展，SiGeSiOEIC光接收机作为一种集成度高、体积小、性能优越的光电子器件已经成为了一种趋势。它主要应用在光通信、激光雷达等领域。其关键器件是SiGeSi材料，以及在SiGeSi材料上制备的p-i-n结。因此，对于这些器件进行基础研究，对于推进光电子器件技术的发展有重要意义。

二、研究内容和方法

本项目的研究内容主要是SiGeSiOEIC光接收机关键器件的基础研究。具体包括SiGeSi材料的制备、p-i-n结的制备、器件性能测试等。研究方法主要是使用电子束光刻技术对SiGeSi材料进行制备和器件加工，并通过光学性能测试仪器对器件进行性能测试。

三、研究计划

1、SiGeSi材料制备及测试

对SiGeSi材料进行制备和测试，主要包括SiGeSi材料的制备、表征和测试等。

2、p-i-n结的制备和测试

制备具有高质量的p-i-n结，包括p+层、i层和n+层，并通过各种测试方法对p-i-n结进行性能测试。

3、SiGeSiOEIC光接收机关键器件的性能测试

通过测试仪器对SiGeSiOEIC光接收机关键器件进行性能测试，包括响应速度、增益、噪声参数等。

4、数据分析和讨论

将实验数据进行分析和讨论，了解SiGeSiOEIC光接收机关键器件性能特点。

四、预期成果

本项目的预期成果是：

1、成功制备SiGeSi材料和p-i-n结；

2、实现对SiGeSiOEIC光接收机关键器件性能的全方位测试；

3、掌握SiGeSiOEIC光接收机关键器件的基础性能特点。

五、参考文献

1、WangJB,XuJ,WangLJ,etal.High-speedlownoiseSiGeSiwaveguidephotodiodes[J].Opticsexpress,2014,22(4):3713-3718.

2、LiuF,DongP,BoY,etal.SiGeSiheterojunctionphotodiodesgrownonSisubstratesbylowpressurechemicalvapordeposition[J].AppliedPhysicsLetters,2013,102(5):051102.

3、LiK,SunQ,BaiL,etal.Room-temperatureoperationofsinglelayerSiGeSiheterojunctiontunnelingphotodiodes[J].AppliedPhysicsLetters,2015,106(15):151103.