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第一章半导体二极管

一.半导体的根底知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:

假设V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);

假设V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。

1〕图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:

假设V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);

假设V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型

微变等效电路法

稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其根本放大电路

一.三极管的结构、类型及特点

1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二.三极管的工作原理

1.三极管的三种根本组态

2.三极管内各极电流的分配

*共发射极电流放大系数(说明三极管是电流控制器件

式子称为穿透电流。

3.共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管。

*输出特性曲线

(饱和管压降，用UCES表示

放大区---发射结正偏，集电结反偏。

截止区---发射结反偏，集电结反偏。

4.温度影响

温度升高，输入特性曲线向左移动。

温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。

三.低频小信号等效模型〔简化〕

hie---输出端交流短路时的输入电阻，

常用rbe表示；

hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，

常用β表示；

四.根本放大电路组成及其原那么

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。

2.组成原那么----能放大、不失真、能传输。

五.放大电路的图解分析法

1.直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

*作用---确定静态工作点

*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1〕改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。

2〕改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。

3〕改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。

2.交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线---连接Q点和VCC’点VCC’=UCEQ+ICQRL’的

直线。

3.静态工作点与非线性失真

〔1〕截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。

*消除方法---减小Rb，提高Q。

〔2〕饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。

*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。

4.放大器的动态范围

〔1〕Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。

〔2〕范围

*当〔UCEQ－UCES〕＞〔VCC’－UCEQ〕时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*当〔UCEQ－UCES〕＜〔VCC’－UCEQ〕时，受饱和失真限