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杭州电子科技大学模拟电子电路课程
杭州电子科技大学模拟电子电路课程
第1次学习指南
学习目标
1)能够简要介绍电子学发展史和历次变革的原因,说明模拟电子电路在电子系统中的定位;
2)能够根据外部工作条件,选择合适的电路模型(理想二极管、恒压降、折线模型等)解决普通二极管(单向导电性)电路分析问题;
3)能够熟练应用二极管的伏安特性(或曲线)进行工作状态分析;
4)能够分析和辨识二极管应用电路,并能够根据要求设计和选择参数及电路结构;
5)能够应用半导体物理知识解释二极管的基本特性(正向、反向、击穿、电容、温度)。
学习内容
a知识点清单
1)模拟电子电路导论:含课程概述、电子学发展史、元器件概览等内容;
2)晶体二极管★:
(1)单向导电性及建模
(2)伏安特性、二极管其他工作条件下的建模
(3)应用电路
(4)半导体物理基础☆
★表示重点,☆表示难点,在学习过程中,请特别注意学习内容之间的联系。
b二极管内容组织
学习中需要解决的基本问题
与无源二端器件(如电阻、电容和电感)相比,二极管有什么特点?
二极管不同模型的建模条件或依据是什么?
各类应用电路中二极管分别工作在哪个或哪几个工作状态?
能否说明以下基本概念:①本征半导体;②杂质半导体;③PN结及其形成过程;④PN结工作状态及外部条件;⑤PN结温度特性。
第2次学习指南
学习目标
1)能够根据电路输入端和输出端的信号要求,选择合理的放大器类型,并用相应的等效电路模型,开展放大器的参数设计;
2)能够根据伏安特性曲线,说明MOS器件的工作状态,对应工作条件,及建模问题;
3)能够根据电路符号,正确识别场效应管器件类型,并说明不同类型场效应管之间的异同点;
4)能够根据CS放大器的传输特性,确定直流工作点的合理位置;结合直流工作点,估算放大器交流输出范围;或根据要求的信号波动范围,设计合理的直流偏置;
5)能够根据偏置电路,求解工作点;
6)能够根据实际情况,选择大信号和小信号模型分析电路状态。
学习内容
a知识点清单
1)放大器概论:含放大器定义、参数、分类及建模等内容;
MOS伏安特性及工作原理★:
(1)场效应管概述
NEMOSFET的伏安特性及其建模☆
NEMOSFET工作原理(含半导体物理基础)☆
(4)其他类型场效应管及其工作原理
CS放大器传输特性☆
FET放大器交直流分析基础★
(1)直流偏置电路☆
(2)放大器输入输出范围定性分析☆
(3)交流小信号模型及其工作条件☆
★表示重点,☆表示难点,在学习过程中,请特别注意学习内容之间的联系。
bMOS器件内容组织
学习中需要解决的基本问题
根据电路输入端和输出端的信号要求,放大器可分为哪几种基本类型?每种类型对应的基本参数分别是什么?参数要求?
能否说明以下基本概念:①MOSFET的物理结构;②场效应管的类型及电路符号;③
NEMOSFET的工作区及对应工作条件、电路模型和数学方程。
对于CS结构能否与伏安特性曲线相联系,说明传输特性曲线上的工作区及临界点坐标?
对于FET放大器,常见的直流偏置电路结构有哪些?
从CS放大器传输特性曲线上,如何判断输出信号摆幅范围?
对于放大器而言,偏置的意义或作用是什么?
MOS小信号条件的意义是什么?小信号参数gm和ro的物理意义分别是什么?
第3次学习指南
学习目标
1)能够根据电路,分析CS、CG和CD放大器的交直流特性;
2)根据设计要求,进行CS、CG和CD放大器设计;
3)能够根据放大器工作条件的不同,合理选择电压跟随器和电流跟随器参与工作。
学习内容
a知识点清单
1)CS放大器交直流分析与设计★☆
2)源极接电阻Rs的CS放大器交直流分析与设计★☆
CD放大器交直流分析与设计☆
CG放大器交直流分析与设计☆
★表示重点,☆表示难点,在学习过程中,请特别注意学习内容之间的联系。
bMOS放大器内容组织
学习中需要解决的基本问题
阻容耦合放大器如何进行交直流通路的分离?直流通路和交流通路的分析侧重点分别是什么?
阻容耦合放大器分析过程中,说明交直流分析的基本步骤;交直流分析的顺序是否能颠倒?为什么
CS、CD和CG放大器交流性能特征?各种结构放大器的适用范围?
学习建议
注意CG放大器的输入电阻,CD放大器的输出电阻推导,一直是课程难点,视频中给出了详细推导过程,大家学习过后务必闭卷自行练习一下,推导过程中注意概念的理解;
计算能力在本课程中非常重要,需要特别关注计算训练;
借助本次学习内容,三种基本组态结构和性能特征各有特点,大家要注意类比学习法的应用和训练;多观察,多思考,必要时要记笔记,做仿真;
放大器的分析和设计是本课程的重点研究内
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