模拟电子电路基础（第2版） 课前学习指南汇总 第1--12次 .pdf

杭州电子科技大学模拟电子电路课程

第1次学习指南

1学习目标

1）能够简要介绍电子学发展史和历次变革的原因，说明模拟电子电路在电子系统中的定

位；

2）能够根据外部工作条件，选择合适的电路模型(理想二极管、恒压降、折线模型等)解决

普通二极管（单向导电性）电路分析问题；

3）能够熟练应用二极管的伏安特性（或曲线）进行工作状态分析；

4）能够分析和辨识二极管应用电路，并能够根据要求设计和选择参数及电路结构；

5）能够应用半导体物理知识解释二极管的基本特性（正向、反向、击穿、电容、温度）。

2学习内容

a知识点清单

1）模拟电子电路导论：含课程概述、电子学发展史、元器件概览等内容；

2）晶体二极管★：

（1）单向导电性及建模

（2）伏安特性、二极管其他工作条件下的建模

（3）应用电路

（4）半导体物理基础☆

★表示重点，☆表示难点，在学习过程中，请特别注意学习内容之间的联系。

b二极管内容组织

3学习中需要解决的基本问题

1）与无源二端器件（如电阻、电容和电感）相比，二极管有什么特点？

2）二极管不同模型的建模条件或依据是什么？

3）各类应用电路中二极管分别工作在哪个或哪几个工作状态？

4）能否说明以下基本概念：①本征半导体；②杂质半导体；③PN结及其形成过程；④PN

结工作状态及外部条件；⑤PN结温度特性。

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第2次学习指南

1学习目标

1）能够根据电路输入端和输出端的信号要求，选择合理的放大器类型，并用相应的等效

电路模型，开展放大器的参数设计；

2）能够根据伏安特性曲线，说明MOS器件的工作状态，对应工作条件，及建模问题；

3）能够根据电路符号，正确识别场效应管器件类型，并说明不同类型场效应管之间的异

同点；

4）能够根据CS放大器的传输特性，确定直流工作点的合理位置；结合直流工作点，估算

放大器交流输出范围；或根据要求的信号波动范围，设计合理的直流偏置；

5）能够根据偏置电路，求解工作点；

6）能够根据实际情况，选择大信号和小信号模型分析电路状态。

2学习内容

a知识点清单

1）放大器概论：含放大器定义、参数、分类及建模等内容；

2）MOS伏安特性及工作原理★：

（1）场效应管概述

（2）NEMOSFET的伏安特性及其建模☆

（3）NEMOSFET工作原理（含半导体物理基础）☆

（4）其他类型场效应管及其工作原理

3）CS放大器传输特性☆

4）FET放大器交直流分析基础★

（1）直流偏置电路☆

（2）放大器输入输出范围定性分析☆

（3）交流小信号模型及其工作条件☆

★表示重点，☆表示难点，在学习过程中，请特别注意学习内容之间的联系。

bMOS器件内容组织

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3学习中需要解决的基本问题

1）根据电路输入端和输出端的信号要求，放大器可分为哪几种基本类型？每种类型对应的

基本参数分别是什么？参数要求？

2）能否说明以下基本概念：①MOSFET的物理结构；②场效应管的类型及电路符号；③

NEMOSFET的工作区及对应工作条件、电路模型和数学方程。

3）对于CS结构能否与伏安特性曲线相联系，说明传输特性曲线上的工作区及临界点坐标？

4）对于FET放大器，常见的直流偏置电路结构有哪些？

5）从CS放大器传输特性曲线上，如何判断输出信号摆幅范围？

6）对于放大器而言，偏置的意义或作用是什么？

7）MOS小信号条件的意义是什么？小信号参数g和r的物理意义分别是什么？

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第3次学习指南

1学习目标

1）能够根据电路，分析CS、CG和CD放大器的交直流特性；

2）根据