GaN微波功率高电子迁移率晶体管(HEMT)新结构新工艺研究的开题报告.docxVIP

AlGaN/GaN微波功率高电子迁移率晶体管(HEMT)新结构新工艺研究的开题报告

一、选题背景

微波功率高电子迁移率晶体管（HEMT）是近年来发展较快的一种功率器件，其在高频率、高功率、低噪声等方面具有优异的性能，已广泛应用于无线通信、雷达、卫星通信等领域。其中，AlGaN/GaNHEMT因其具有高电子迁移率、高应力场、宽禁带宽和良好的退化稳定性等特点而备受关注。

在传统AlGaN/GaNHEMT的结构中，通常采用Si或SiC衬底，但这种衬底的导热性能、热稳定性和生长质量等方面均存在一些问题。为了克服这些问题，近年来出现了一些新的AlGaN/GaNHEMT结构和工艺，如采用氮化硼（BN）衬底、采用二氧化硅（SiO2）隔离层、采用超晶格等。这些新结构和新工艺对于AlGaN/GaNHEMT的性能提升、工艺优化和应用拓展具有重要意义。

二、研究目的

本研究的目的是探讨AlGaN/GaNHEMT的新结构和新工艺对器件性能的影响，以期为AlGaN/GaNHEMT的进一步应用和发展提供技术支持。具体目标如下：

1.设计和优化AlGaN/GaNHEMT的新结构，包括采用氮化硼（BN）衬底、采用二氧化硅（SiO2）隔离层、采用超晶格等。

2.分别采用气相外延（MOVPE）和分子束外延（MBE）工艺生长AlGaN/GaNHEMT的新结构。

3.测试、比较和分析不同结构和工艺条件下AlGaN/GaNHEMT的电学性能，如电流-电压（I-V）特性、传输线模型（TLM）测试、微波特性、噪声特性等。

三、研究方法

本研究采用实验研究方法，分为设计和优化结构、生长和制备样品、测试和分析性能等三个阶段。具体方法如下：

1.设计和优化AlGaN/GaNHEMT的新结构，采用模拟软件进行仿真分析和优化。

2.分别采用气相外延（MOVPE）和分子束外延（MBE）工艺生长AlGaN/GaNHEMT的新结构样品。

3.利用测试设备测量、比较和分析不同结构和工艺条件下AlGaN/GaNHEMT的电学性能，如电流-电压（I-V）特性、传输线模型（TLM）测试、微波特性、噪声特性等。

四、研究意义

本研究的意义在于探究AlGaN/GaNHEMT的新结构和新工艺对器件性能的影响和优化，为提高器件的性能和可靠性提供技术支持和解决方案。同时，也可以为AlGaN/GaNHEMT的进一步应用和发展提供参考和支持。