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原子光刻技术

摘要

与光子和电子不同，原子的激发亚稳态具有便利操作的内能态构

造，这使利用内能态的光学灭原理实现光刻技术成为现实。基于原

子光学的中中性原子束光刻技术是下一代光刻技术〔thenext

generationlithography,NGL〕的一种，它可分为两种途径实现：激光

驻波原子直沉积技术和亚稳态中性原子光刻技术。前者可以实现图案

的纳米尺度特征、大面积平行沉积和高区分率；后者结合有效的抗蚀

剂，同样可以实现纳米图形制造。在基板上获得的锋利边缘区分率目

前可达40nm。两种途径的原理相差甚远，但最终获得的结果相像。

文章对原子光刻进展了深入的分析，介绍了根本概念、工作原理、

相关试验方案，针对原子光刻的原子捕获、激光稳频、原子束聚焦和

沉积等关键技术，进展了分析和争论。

关键词：原子光刻；原子光学；纳米构造；激光稳频；原子束沉积

0.绪论

光刻技术是纳米构造制作的重要工艺，通过增大光刻物镜的数值

孔径〔N.A〕和缩短曝光波长，可以提高光刻系统的区分率。但当光

刻图形的尺寸小于100nm时，光学光刻面临着很大的挑战。原子光

刻是一种利用原子束实现刻印的方法。作为原子光刻中的原子拥有X

射线、电子束及离子束等刻印媒体所不具备的特点。

自20世纪60年月，集成电路技术得到快速进展，集成规模越来越

大，集成效率越来越高。传统光刻技术及电子束光刻技术是半导体工

业中常用的制备工艺。近年来，为了提高集成度，在追求最小特征尺

寸和极限区分率的状况下，对仪器设备的要求越来越苛刻，传统光刻

技术正面临越来越严峻的挑战。受光学衍射极限的限制，提高光子能

量是降低特征尺寸的唯一途径。当今半导体工业中，光刻技术的曝光

光源已从可见光波段进展到极深紫外光波段，也提高了制备短波光学

元件的材料及工艺要求。

在电子束光刻技术中，由于空间电荷效应的影响，特征尺寸的缩

小是以昂贵设备为代价来实现的。在这些状况下，作为一种潜在光刻

技术的原子光刻技术有望成为集成电路和微型器件加工的型纳米构

造制造技术。

1.原子光刻技术简介

1995年，美国国家标准技术争论所和哈佛大学的科学家们成功地

运用中性原子代替光子和电子，在硅外表产生了金的微纳米图形，

这是原子光刻技术的第一个试验结果，并预言原子光刻技术制造出

集成电路或其他器件比其他光学光刻技术制造的小十倍。自从以后，

美国、德国、日本、法国等国家先后在中性原子光刻试验上取得了

成功，原子光学的根底争论成果正逐步向原子光刻技术进展转化，

是根底争论技术化的典型之一。

中性原子光刻是指利用中性原子束在材料外表上制造特定的构

造图形，基于中性原子的性质，原子光刻具有以下独特优势：首先，

中性原子束的原子源装置构造简洁，价格低廉；其次，相对于光子

和电子，中性原子束的粒子动能格外低，小于1eV，对外表损伤微

小，以惰性气体为例，一个原子经激发处于激发亚稳态是可携带

8-20eV的内能，单个红外光子就可以耗散一个原子所含的内能。由

于相对较低的速度和较大的原子质量，中性原子的德布罗意波长很

短，相应的衍射效应格外小；第三，中性原子的运动轨迹不受均匀

电场和磁场的影响，而介于中性原子之间的长程粒子间相互作用力

格外小，没有库伦排斥力引起的区分率限制〔离子束光刻中存在〕；

第四，中性原子束还具有电子束或光子束所不具有的跃迁态，原子

具有可用激光调谐的中间态构造，这种中间态构造使得原子操控成

为可能，并可以通过激光冷却来增加原子束通量和校准。与其他光

刻技术比较，原子光刻由于目前的技术尚难以获得高强度束流，制

造效率较低。此外，还有一些本文后面局部提到的关于原子操控和

原子与外表相互作用等方面根底争论难点造成的技术问题尚未得到

最终解决。

原子光刻技术可分为两种模式：一种是中性原子经原子透镜

聚焦成格外精细的点直接沉积到基板上，在纳米构造制备过程可以

在干净、无抗蚀剂的环境下完成。由于中性原子的动能格外小，对

基板的损伤格外小或没有损伤，这对于无污染和无缺陷生长纳米构

造来说是格外重要的；另外一种是承受亚稳态中性原子对基板外表

的适宜的抗蚀剂曝光，承受湿法化学刻蚀的手段在基板上刻印图案

构造，迄今为止，金属原子直沉积技术已经取得了显著成果，同样，

结合抗