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HF60P03D
P-Ch30VFastSwitchingMOSFETs
Description
TheHF60P03DisthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSONand
gatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.TheHF60P03DmeettheRoHSand
GreeProductrequirement100%EASguaranteedwithfullfunctionreliabilityapproved.
Features
100%EASGuaranteedExcellentCdV/dteffectdecline
GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology
SuperLowGateCharge
BVDSSRDSONID
TypicalApplicationCircuit
-30V7.5mΩ-60A
HF60P03DTypicalApplicationCircuit
AbsoluteMaximumRatings
ParameterSymbolValueUnit
Drain-SourceVoltageVDS-30V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
TC25°C-60
ContinuousDrainCurrentIDA
TC100°C-32
PulsedDrainCurrent1IDM-200A
SinglePulseAvalancheEnergy2EAS80mJ
TotalPowerDissipationTC25°CPD43.1W
OperatingJunctionandStorageTemperatureRangeTJ,TSTG-55to150°C
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