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PTT与PVDF介电层形态结构对场效应晶体管迁移率影响的研究的开题报告

一、研究背景

场效应晶体管是一种重要的电子器件，在通信、计算机、光电子等领域均有广泛的应用。其性能主要取决于其材料的微观结构，包括金属栅极、半导体层和介电层。其中，介电层的结构对场效应晶体管的迁移率具有决定性的影响。

目前，常用的介电材料有PTT和PVDF。PTT具有较高的介电常数和较低的介电损耗，可以提高场效应晶体管的迁移率。PVDF具有很好的绝缘性能和耐高温性能，但介电常数较低，会降低场效应晶体管的迁移率。因此，对PTT和PVDF介电层的形态结构对场效应晶体管迁移率的影响进行深入研究，有助于进一步优化场效应晶体管性能，推动电子器件技术的发展。

二、研究内容和方法

本研究将以场效应晶体管为研究对象，通过改变PTT和PVDF的溶解浓度、溶液温度和溶液对表面张力的影响等因素，制备不同形态结构的介电层，并对其进行表征。同时，采用宏观测试方法和微观分析技术，研究不同形态结构介电层对场效应晶体管迁移率的影响。

具体方法包括：

1.制备PTT和PVDF介电层：在不同浓度、不同温度和不同表面张力条件下，采用自旋涂覆法制备介电层，并通过扫描电子显微镜、能谱仪、拉曼光谱等手段对其进行表征；

2.制备场效应晶体管：采用半导体微电子工艺制备场效应晶体管，并在介电层上形成金属栅接口，通过测试其迁移率来评价其性能表现；

3.对比分析：对比测试不同形态结构介电层对场效应晶体管迁移率的影响，并通过数据分析、计算模拟等方法进行深入研究。

三、研究意义

本研究将有助于深入了解PTT和PVDF介电层的结构与性能之间的关系，为场效应晶体管的性能优化提供理论依据和实验基础。同时，通过采用微观分析技术和宏观测试方法，将有助于研究新型介电材料的设计和表征方法，推动电子器件技术的发展。