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Si基GaNHEMT结构MOCVD生长研究开题报告

开题报告

（标题）

Si基GaNHEMT结构MOCVD生长研究

一、研究背景

高电子迁移率晶体管（HEMT）是目前最具有应用潜力的微波功率晶体管之一，具有高频特性好、噪声低和耐辐照等优点。其中，基于氮化镓（GaN）的HEMT已经成为研究的热点之一。但是，GaN材料在Si衬底上的生长难度较大，加之其热膨胀系数与Si衬底差异较大，易产生晶格失配、缺陷等问题，因此，如何在Si衬底上有效地生长出高质量的GaN材料成为了研究的难点之一。此外，近年来出现了将GaN与Si模拟器件集成的研究，即Si基GaNHEMT结构，其可在Si基上实现高性能功率晶体管的制备，因此引起了广泛关注。

二、研究目的

本研究的目的是通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在Si衬底上生长高质量的GaN材料，获得Si基GaNHEMT结构器件的制备工艺，并对其器件性能进行研究。具体研究总目标如下：

1.探究氮、氢等流量对Si衬底上GaN材料生长的影响；

2.研究不同生长温度对Si基GaNHEMT结构的影响；

3.通过调控生长条件实现Si基GaNHEMT结构的有序组装和晶体形貌控制；

4.评估Si基GaNHEMT结构器件的电学性能和利用价值。

三、研究内容

（一）生长GaN材料

1.气相沉积原理和应用；

2.GaN材料生长方法和基本工艺；

3.探究氮、氢等流量对Si衬底上GaN材料生长的影响；

（二）制备Si基GaNHEMT结构

1.Si基GaNHEMT结构刻蚀工艺；

2.生长Si基GaNHEMT结构制备原理；

3.研究不同生长温度对Si基GaNHEMT结构的影响；

4.通过调控生长条件实现Si基GaNHEMT结构的有序组装和晶体形貌控制。

（三）器件性能测试

1.Si基GaNHEMT结构器件的电学特性测试；

2.评估Si基GaNHEMT结构器件的电学性能和利用价值。

四、研究方法

1.实验方法：金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长Si基GaNHEMT结构和制备Si基GaNHEMT结构器件，并对其进行性能测试和表征。

2.分析方法：场发射扫描电镜（FESEM）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS）、拉曼光谱（Raman）等方法对材料结构、成分及晶体质量进行表征。

五、研究意义

本研究将有助于在Si基上实现高性能功率晶体管的制备，为实现高性能功率器件集成提供技术支持。同时，本研究也将为提高GaN材料在体系集成电路领域的应用提供新思路和新方法。此外，本研究还将拓展GaN材料在电子、光电器件领域的应用范围，为经济和社会发展做出贡献。