半导体器件的机械标准化 第6-19部分：高温下封装翘曲度的测量方法和最大允许翘曲度 征求意见稿.docx

GB/T15879.619—202X/IEC60191-6-19:2010

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半导体器件的机械标准化

第6-19部分：升温下封装翘曲度的测量方法和最大允许翘曲度

1范围

本文件规定了焊球阵列封装（BGA）、密节距焊球阵列封装（FBGA）和密节距焊盘阵列封装（FLGA）在升温下封装翘曲度的测量方法和最大允许翘曲度。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

IEC60191-6半导体器件的机械标准化第6部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则（Mechanicalstandardizationofsemiconductordevices–Part6:Generalrulesforthepreparationofoutlinedrawingsofsurfacemountedsemiconductordevicepackages）

IEC60191-6-2半导体器件的机械标准化第6-2部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则1.50mm，1.27mm，1.00mm节距的焊球和焊柱阵列封装设计指南（Mechanicalstandardizationofsemiconductordevices–Part6-2:Generalrulesforthepreparationofoutlinedrawingsofsurfacemountedsemiconductordevicepackages–Designguidefor1.50mm,1.27mm,and1.00mmpitchballandcolumnterminalpackages）

IEC60191-6-5半导体器件的机械标准化第6-5部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则密节距焊球阵列（FBGA）封装的设计指南（Mechanicalstandardizationofsemiconductordevices–Part6-5:Generalrulesforthepreparationofoutlinedrawingsofsurfacemountedsemiconductordevicepackages–Designguideforfine-pitchballgridarray(FBGA)）

IEC60749-20半导体器件机械和气候试验方法第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响（Semiconductordevices–Mechanicalandclimatictestmethods–Part20:Resistanceofplastic-encapsulatedSMDstothecombinedeffectofmoistureandsolderingheat）

注：GB/T4937.20-2018半导体器件机械和气候试验方法第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响（IEC60749-20:2008,IDT）

3术语和定义

IEC60191-6界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

测量区域measuringarea

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测量封装翘曲度的区域，包括：

——对于支撑高度大于0.1mm的封装形式，为最外侧相邻焊球中心连线所包围的引出端对应的封装体区域，包括BGA与FBGA封装；

注：测量区域的示例见图1和图2。如果封装体的中心区域存在焊球，该区域也是封装翘曲度测量的一部分。

——对于支撑高度小于等于0.1mm的封装形式，为除去一定边缘余量的基板表面区域，包括FLGA封装。

注：测量区域的示例见图3。边缘余量L的取值取决于测量设备的检测能力（参考值L=0.2mm）。

注1：阴影区域表示测量区域。

注2：图中符号源自FBGA的设计指南（IEC60191-6-5）。

图1满阵列布局BGA和FBGA的测量区域

注：图中符号源自FBGA的设计指南（IEC60191-6-5）。

图24行4列BGA和FBGA四周布局的测量区域

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注：边缘余量