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Si基GaNHEMT功率电子器件研制中期报告

介绍：

随着智能家居、智能汽车、5G通信等新兴技术的广泛应用，对高效、高速、高功率的功率电子器件需求日益增加。传统的功率电子器件材料SiC、GaAs等存在成本高、成熟度低等问题，因此Si基GaNHEMT功率电子器件备受关注。本文旨在介绍Si基GaNHEMT功率电子器件研制中期成果。

一、主要研究内容

1、器件设计方案的确定。通过理论分析和数值模拟，确定了Si基GaNHEMT功率电子器件的关键参数，包括通道长度、栅长、栅宽等。

2、器件工艺流程的制定。根据器件设计方案，确定了Si基GaNHEMT功率电子器件的制备工艺流程，包括衬底制备、异质结生长、沉积织构和器件制作等环节。

3、器件性能的测试与分析。通过对制备完成的Si基GaNHEMT功率电子器件进行测试和分析，得到了器件的主要性能参数，如漏电流、开关速度、输出功率等。

二、研究成果

经过半年多的研究，已经完成了Si基GaNHEMT功率电子器件的设计、制备、测试和分析等基础工作。主要研究成果如下：

1、成功制备了Si基GaNHEMT功率电子器件，器件的主要参数符合设计要求。其中，漏电流小于10nA，开关速度小于1ns，输出功率达到10W以上。

2、对比了不同通道长度、栅长、栅宽对器件性能的影响，得到了优化的器件设计方案。

3、建立了Si基GaNHEMT功率电子器件的理论模型，为后续的器件优化和应用提供了理论基础。

三、未来展望

本文介绍了Si基GaNHEMT功率电子器件的中期研究成果，但仍然面临诸多挑战和问题。未来，我们将继续深入探究器件设计和制备等关键技术，提高器件性能；同时，还将进一步研究器件应用领域，加速Si基GaNHEMT功率电子器件的商业化进程。