同轴热电薄膜功率座检定规程.docx

JJG282—81

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同轴热电薄膜功率座检定规程

本规程适用于检定新制造的、修理调整后的和使用中的同轴热电薄膜功率座《以下简称ttt功率座)的有效效率n.值、校准因子K,值，也适用于波异tft功率座的检定。

一、概述

1同轴tft功率座和相应的指示器一起，用来测量射频连续波功率或脉冲调制波的平均功率。

tft功率计不同于热敏电阻功率计；

atft功率座里安装的金属(铋锑)膜片是一个良好的匹配终端。它既是吸收功率的负载，又是将射频功率转换为直流热电势的热电偶器件，如图1所示.

b指示器不是利用平衡电桥的原理，而是一个高灵敏度的直流放大器.

c有效效率确及校准因子K?的含义不同。

有效效率第的定义为：tft功率座吸收的音频功率P.与产生相同的热电势时ttt功率座所吸收的射频功率Pn之比，即

(1)

校准因子K。的定义为：tft功率座吸收的音频功率P.与产生相同的热电势时入射到tft功率座的输入端面上的射频功率P;之比，即

指示密

图1tft功率计示意图

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(2)

二、技术要求

2被检定的ttt功率座上应标明产品型号、出厂编号及额定功率值。

3与被检定的tft功率座相配的指示器应预先校准。4检定应在被检ttt功率座相应的频段内进行。

5检定工作电平为1mW和10mW.

6被检定的ttt功率座输入端电压驻波比在相应的频段内应符合技术指标。通常不大于1.50。

7检定时在测量端口必须保证有良好的连接重复性。

三、检定条件和检定用设备

8环境条件

检定应在恒温条件下进行。当用量热计作标准功率计时，室温应控制在20±1℃,用其他功率计作标准时，室温可控制在20±5℃;

电源为50Hz,220V±10%;

相对湿度低于80%。

9所需设备列于表1.

四、检定项目

10工作正常性检查

将ttt功率座和与之配合使用的指示器连接，接通电源后指示灯应亮，在与ttt功率座相应的量程内，零点可以调整。

11tft功率座有效效率7m的检定。

12tft功率座校准因子Ku的检定。

13tft功率座输入端电压反射系数|T,|值的测量。

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表1微波系统所需设备(以1～6GHz频段为例)

设备名称

主要指标

建收型每

数量

费故信号颜

教故攻事放大器

稳幅器

稳频器

频率计

电动同轴开关定向辆合器

定向辆合器

功串计

数字电压者

电位差计

隔离器

精言测化辉

可路短路辉

标唐短浩器

到是结

标准功电计

Ji1*eGSx

/t2~6GHz

1×10-8/小时

1×10~5/小时

精度优于0,1%

f:0~12,4GHz

10dB方向性25dB

111*6GHniodH

构度；士1%

±0.02%

0.02级

≥45dB

|T?|≥0.890

不良度：1-2×10=4

|T;|s=0.09a

精度：1.001±0.001f(GHz)总精夜：士(1.0~2.0)%

GX-26,XBnXB5*PW-1

MSA-1

WP-4(XW-4)PX-12,PX-13

TTK

TT-2TT-31TT-4

6460

7075

UJ-26

用多个串用

防GR-000LB

GO20

存1台

1台

1

1

呼学各1台

呼学

1只

1只

各1只1台1台1台

2只

1只

1只1台1台

柱：总精度要溯源到国家标准。

五、检定方法

14tft功率座的检定，可选用交替比对法、单定向耦合器法、调配反射计及广义反射计法。本规程用表1中的设备和器件组成如图2所示的微波传递系统，即广义反射计，图3为简化的原理图，图中2-2端面为测量端口，3-3端面为定向耦合器的旁臂输出端。

15调整微波传递系统

15.1所有的仪器电源接通，预热半小时。稳频稳幅信号源调到需要的频率上，频率偏差应小于±0.1%,幅度稳定度应优于0.001/h.

15.2测量端口接同轴测量线。同轴开关K打在B位置，调节调配器T.,使得测量端口的输入电压驻波比小于1.01,即|Fμl

0.005。|T|为从测量端口向信号源看去的等效信号源电压反射系

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电

电

进

体

检技制

可变

废减幽

45dB|幅离器

4sdπ

强离时

可变

被减础

定

45dB

数字]

也压制

动率计

oanh

合部