集成电子学：第一章 超大规模集成导论.ppt

有漏偏压情况下量子效应的影响量子效应对阈值电压的影响仅反应了零电流(即没有漏电压)时栅电压的平移。器件加有漏电压时，量子效应还会引起沟道区反型层电荷及表面势的分布变化，因此，不仅造成—VGS曲线相对经典理论的平移，而且斜率也会发生变化。考虑了加有漏偏压情况下的量子效应的影响，可以用一个量子化的电荷薄层模型替代经典的电荷薄层模型计算MOS器件的导通电流。**可以套用基于漂移—扩散方程和高斯定律得到的漏电流表达式：图2.12比较了用经典方法和量子力学计算得到的NMOS中反型载流子在垂直表面方向(x方向)的分布。考虑到多晶硅栅的耗尽效应和反量子化的影响，MOS晶体管的栅电容不再完全由栅氧化层的电容决定，而应由下式决定:是单位面积栅氧化层电容，CP是描述多晶硅栅耗尽效应的单位面积多晶硅耗尽层电容，CS是半导体表面反型层或积累层厚度决定的单位面积电容.量子效应引起的带-带隧穿短沟道器件中，为了抑制短沟道效应，常采用高浓度的环绕掺杂(HALO)来限制源一漏pn结耗尽区的扩展，阻止漏电场向沟道区内穿透。较高浓度的环绕掺杂便得漏区附近形成高电场.例如可能在10nm距离内有1—2V的电势变化。这样强的电场将导致漏pn结发生量子机制的带一带隧穿，使pn结泄漏电流明显增大。*栅介质等效氧化层厚度（EOT）提取在纳米器件中，由于存在多晶硅耗尽、反型层或积累层电荷量子化等因素，使得等效氧化层厚度的确定变得困难C-V测试中存在的栅介质漏电、衬底电阻等寄生元件也会使栅介质电容测试结果产生误差CV特性曲线得出的结果往往包含了栅介质漏电、衬底电阻等寄生元件、电荷量子化、多晶硅耗尽的影响高精度透射电镜（HR-TEM）是测量栅介质厚度的最有效方法，但设备昂贵，效率低。考虑测量等效电路的结果IEEEED,1999,46(7):1500.C-V仪测试出的Cm并非MOS结构栅电容C，由两图阻抗之间的关系，可以得出实际的栅介质电容如下下标1和2分别是在频率f1和f2下测得,则有100K和1MHz双频率C-V测试及修正结果(a)(b)MIS测试结构的等效电路(a)包含漏电流、串联电阻和寄生电容的精确模型(b)实际测试模型考虑量子化的等效氧化层厚度（EOT）的提取方法

IEEEED,2002,49(4):695如果在MIS结构中所加的外加偏压是平带电压，则由于不存在势阱或势垒，量子效应、多晶硅耗尽可以忽约不计。由经典的半导体物理理论可知：其中，其中，为氧化层电容。为半导体表面的平带电容，有：其中，德拜长度多晶硅也有相同的结果，如何从C-V特性曲线得出平带电压和平带电容？达到平带电压时，下列公式成立：这样，在C-V特性曲线上利用数学方法求得一阶和二阶导数，并根据上式得出平带电压和平带电容，即可得出氧化层厚度。由C-V曲线求平带电压和平带电容示意图六、迁移率退化和速度饱和对于纳米MOS器件，栅氧化层厚度小于10nm,而沟道区的掺杂浓度已接近1018cm-3量级，这些将造成Si—SiO2界面处的电场增强。一般界面处垂直于表面方向的电场已超过105V/cm，强电场不仅使沟道电子量子化，较强的表面电场也使反型载流子的迁移率退化。反型层内的载流子受到三种散射结构的影响：（1）带电中心引起的库仑散射（2）晶格振动引起的声子散射（3）表面散射反型载流子的迁移率不同于体迁移率的另一个特点，是受表面电场的强烈影响；反型载流子的有效迁移率可由下式计算(Matthiessen公式)在上式中μph是由在声子散射决定的迁移率，μsr反映了表面散射的作用，μcoul反映了库仑散射的作用，这三个量分别决定于沟道区掺杂浓度NA，反型载流子面密度Ns，垂直于表面方向的有效电场强度Eeff和温度T。而垂直于表面方向的有效电场强度决定于表面的耗尽层电荷和反型层电荷:声子散射限制的迁移率可表示为A、B是拟合系数。在较低温度下，沟道电子主要位于最低的量子化子带上，这种情况下上式中的第一项可去掉，迁移率与温度的关系近似是T-1。但是从实验中得到的温度依赖关系近似是T-1.8，这个误差主要是因为上式只考虑了谷内的声学声子散射，而忽略了谷间的声子散射作用。考虑到反型层最子化的影响，根据蒙特卡罗模拟结果得到一个μph的半经验表达式：对于量子化的沟道电子，所受的库仑