Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜的PLD生长、结构与性能的开题报告.docxVIP

Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜的PLD生长、结构与性能的开题报告

题目:Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜的PLD生长、结构与性能

摘要:Ba(Fe12Nb12)O3是一种多铁性材料，具有优良的磁性、铁电性和介电性等特性，因此被广泛应用于磁性存储、传感器、非挥发性存储器等领域。本课题将通过脉冲激光沉积技术（PLD）制备Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜，并研究其生长过程、结构和性能。通过优化PLD工艺和控制氧气分压，在不同的生长条件下获得具有不同组成、厚度和结构的Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）等技术对薄膜的晶体结构、形貌和微观结构进行表征。研究薄膜的电学性能，例如介电常数和铁电性，利用交流阻抗技术和外界电场调控方法，探究镀膜的电学特性和多铁性质。

目标:

1.制备不同组成、厚度和结构的Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜，探究其生长过程和影响因素。

2.研究Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜的晶体结构、形貌和微观结构，了解其材料性质。

3.通过在不同频率和温度下的介电性和铁电性测试，分析Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜的电学特性和多铁性质。

4.探究外界电场调控方法对Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜电学特性及其多铁性质的影响。

方法：

1.利用脉冲激光沉积技术在晶体硅或其他基底上制备Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜。

2.通过调节激光功率、氧气分压、衬底温度等参数优化PLD工艺，制备厚度均匀、结晶良好的Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜。

3.利用XRD、SEM和TEM等技术表征Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜的晶体结构、形貌和微观结构。

4.利用交流阻抗技术测试Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜的介电性和铁电性，并探究外界电场调控方法对其性质的影响。

预期成果：

1.成功制备出厚度均匀、结晶良好的Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜。

2.通过XRD、SEM和TEM等技术表征薄膜的晶体结构、形貌和微观结构。

3.系统分析Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜的介电性和铁电性，探究其电学特性和多铁性质。

4.发现外界电场调控方法对Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜性质的影响机制，为其在磁性存储、传感器、非挥发性存储器等领域的应用提供理论支持和实验基础。

关键词：多铁性材料，Ba(Fe12Nb12)O3基薄膜，脉冲激光沉积技术，结构性质，电学性质。