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干法刻蚀工艺总结

离子束刻蚀机（IBE-150A）

背景:

利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面

进行物理轰击，以达刻蚀的作用。把Ar、Kr或Xe之类惰性气体充入离子源放

电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定

能量的离子束进入工作室，射向固体表面撞击固体表面原子，使材料原子发生溅

射，达刻蚀目的，属纯物理过程。

技术指标：

装片：一片六英寸衬底、或1片四英寸，向下兼容。

抽气速度：30min由ATM1.0×10-3Pa

极限真空度：2×10-4Pa

离子能量：300eV-400eV

ICP刻蚀机（OXFORDICP180）

背景:

通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解，产生的具有强化学活性

的等离子体在电场的加速作用下移动样品表面，对样品表面既进行化学反应生

成挥发性气体，又有一定的物理刻蚀作用。因为等离子体源与射频加速源分离，

所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以获得更高的刻蚀速率，以

及更好的各向异性刻蚀。另外，由于该系统使用了Cl基和Br基的刻蚀气体，因

此该ICP系统适合于对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料进行刻蚀。

技术指标：

ICP离子源：03000W

~

RF射频源：0600W

~

装片：1片四英寸，向下兼容

基底刻蚀温度：0℃-200℃可调。

刻蚀气体：BCl、Cl、HBr、Ar、O322

可刻蚀材料包括：GaN、GaAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族化合物材料

刻蚀机（）

ICPSTSHRM

背景：

通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解，产生的具有强化学活性

的等离子体在电场的加速作用下移动样品表面，对样品表面既进行化学反应生

成挥发性气体，又有一定的物理刻蚀作用。因为等离子体源与射频加速源分离，

所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以获得更高的刻蚀速率，以

及更好的各向异性刻蚀。该系统使用了F基的刻蚀气体，具有Bosch工艺，适合

于对硅材料进行大深宽比刻蚀。

技术指标：

ICP离子源：0-3000W

RF射频源：0-600W

装片系统：六英寸，向下兼容

基底刻蚀温度：0℃-200℃可调。

刻蚀气体：SF6、C4F8、O2、Ar

可刻蚀材料包括：硅材料

反应离子刻蚀机（）

Tegal903e

背景:

该设备为tegal903eRIE（ReactiveIoEatchig）设备,其原理是利用含有

F基的等离子体与SIO2及SINx进行反应，达刻蚀的目的，本设备所提供的气

体有SF6、CHF3、O2、He，适用于6英寸单片及不规则小片（需要用6寸硅

片作为托盘）的SiO2和Si3N4的刻蚀。

技术指标：

装片系统：一片六英寸衬底，或1片四英寸，小片兼容。

可刻蚀材料：SiO2，SiNx

刻蚀均匀性：±5%以内，

刻蚀速率：≤500m/mi。

刻蚀种类

干法：气态等离子体中，发生物理或化学反应

亚微米尺寸

湿法：液态化学试剂中，发生化学反应

尺寸大于3微米

按材料分：金属刻蚀、介质刻蚀、硅（多晶硅）刻蚀

原理上类似于化学气相沉积过程，除了材料是去除而不是沉积

由三步组成：(1)等离子体产物达被刻蚀表面；(2)与表面膜发生反应；(3)反应物从表面

移走

刻蚀参数

刻蚀速率2.刻蚀剖面3.刻蚀偏差4.选择比5.均匀性6.残留物7.聚合物8.等离子体诱导

损伤9.颗粒、沾污和缺陷

刻蚀速率R=ΔT/t（nm/min）R正比于刻蚀剂的浓度

负载效应：要刻蚀大面积区域，会耗尽刻蚀剂浓度，而使R下降；若面积小，则刻蚀会快一

些。

刻蚀剖面

两种基本剖面：

各项同性：

各项异性：小线宽图形亚微米器件，现今集成电路要求88°-89°

高深宽比图形窗口：化学刻蚀剂难以进入，反应生成物难以出来

解决办法：将等离子体定向推进高深宽比窗口，离子方向性垂直于表面；高密度等离子体

刻蚀偏差

刻蚀后线宽或关键尺寸间距发生变化，通常由横向刻蚀引起，但也能由刻蚀剖面引起。

刻蚀偏差=Wb-Wa

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