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碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
1.范围
本文件规定了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和自动非接触式测试方法；
本文件适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm的碳化硅碳化硅单晶片的测试，自动
非接触式测试方法适用于厚度为0.13mm～1mm碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
2.规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T14264半导体材料术语
GB/T25915.1洁净室及相关受控环境第1部分:按粒子浓度划分空气洁净度等级
3.术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
方法1接触式测量方法
4.方法原理
采用五点法，使用测厚仪在碳化硅单晶片中心点和距碳化硅单晶片边缘D/10（D为碳化硅单晶片直
径）的圆周上4个对称点位置测量碳化硅单晶片厚度，如图1所示，单晶片中心点厚度为标准厚度，5
个厚度测量值中的最大值和最小值的差值为碳化硅单晶片的总厚度变化。
D/10
4
315
2
图1接触式测量测量点位置示意图
1
5.干扰因素
5.1.由于晶片表面无规则区域变化，使用五点测试晶片的总厚度变化，会导致误差偏大；
5.2.晶片表面的洁净度对测试结果有影响，测试前样品应经过清洗，确保晶片表面洁净。
6.测试环境
6.1.温度：（23±3）℃，相对湿度：（60%±20%）RH；
6.2.洁净区空气等级：GB/T25915.1中规定的ISO8级及以上。
7.仪器设备
7.1.测厚仪：最小指示量值不大于1μm且带有探头的指示仪表，探头不应超过2mm；2
7.2.支撑装置：放置被测量晶片的平台或夹具。
8.样品
碳化硅单晶片应具有洁净、干燥的表面；
9.测试程序
9.1.调整测厚仪的零点；
9.2.将待测碳化硅单晶片正面朝上，置于测厚仪的支撑装置上；
9.3.将测厚仪探头置于碳化硅单晶片中心位置（见图1），测量厚度记为t，翻转单晶片，重复操作，1
’’
厚度记为t，比较t和t，较小值为该单晶片标称厚度值[单位为微米(μm)]；111
9.4.移动碳化硅单晶片，将测厚仪探头依次位于单晶片位置2、3、4、5（见图1）（偏差在2mm之内），
测量厚度分为记为t、t、t、t。2345
9.5.测厚仪探头中心距碳化硅单晶片边缘不小于D/10；
9.6.5个厚度测量值中的最大值和最小值的差值为碳化硅单晶片的总厚度变化[单位为微米(μm)]。
10.精密度
单个实验室中，本方法测量碳化硅单晶片的厚度和平整度的重复性相对标准偏差；多个实验室中，
本方法测量碳化硅单晶片的厚度和平整度的再现性相对标准偏差。
11.试验报告
试验报告应至少包括以下内容：
a)送样单位；
b)样品信息，包括（样品直径、编号）；
c)测试日期；
d)测试结果（THK、TTV）；
e)本文件编号；
f)其他。
2
方法2自动非接触式测量方法
12.方法原理
一束平行光被分光镜（棱镜）分为两束光，其中一束经过固定的棱镜底部反射形成参考光，另一束
经过移动的反射镜形成测量光，参考光和
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