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《集成电路设计基础》
《集成电路设计基础》
上次课内容
Ü第3章集成电路工艺简介
3.1引言
3.2外延生长工艺
3.3掩模的制版工艺
3.4光刻工艺
3.5掺杂工艺
3.6绝缘层形成工艺
3.7金属层形成工艺
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本次课内容
Ü第4章集成电路特定工艺
4.1引言
4.2双极型集成电路的基本制造工艺
4.3MESFET工艺与HEMT工艺
4.4CMOS集成电路的基本制造工艺
4.5BiCMOS集成电路的基本制造工艺
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4.1引言
所谓特定工艺，常常是指以一
种材料为衬底、一种或几种类型的晶
体管为主要的有源器件；辅以一定类
型的无源器件；以特定的简单电路为
基本单元；形成应用于一个或多个领
域中各种电路和系统的工艺。
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特定工艺
这些特定工艺包括：
硅基的双极型工艺、CMOS、BiCMOS、
锗硅HBT工艺和BiCMOS工艺，SOI材料的CMOS工
艺，GaA基/InP基的MESFET工艺、HEMT工艺和
HBT工艺等。目前应用最广泛的特定工艺是
CMOS工艺。在CMOS工艺中，又可细分为DRAM工
艺、逻辑工艺、模拟数字混合集成工艺，RFIC
工艺等。
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4.2双极型集成电路的基本制造工艺
在双极型集成电路的基本制造工艺中，
要不断地进行光刻、扩散、氧化的工作。
典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺
流程图如下图所示。
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典型PN结隔离掺金TTL电路工艺流程图
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
（1）衬底选择
对于典型的PN结隔离双极集成电路，
衬底一般选用P型硅。芯片剖面如图。
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
+
（2）第一次光刻——N隐埋层扩散孔光刻
一般来讲，由于双极型集成电路中各
元器件均从上表面实现互连，所以为了减
少寄生的集电串联电阻效应，在制作
元器件的外延层和衬底之间需要作N隐埋+
层。
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第一次光刻——N+
从上表面引出第一次光刻的掩模版图
形及隐埋层扩散后的芯片剖面见图。
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双极型集成电路基本制造工艺步骤
（3）外延层淀积
外延层淀积时应该考虑的设计参数主要有：
外延层电阻率ρepi和外延层
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