二极管器件SPICE电路模型对锥形离子通道I-V特性曲线的模拟.pdf

高等学校化学学报

CHEMICALJOURNALOFCHINESEUNIVERSITIES研究论文

二极管器件SPICE电路模型对锥形

离子通道I-V特性曲线的模拟

江嘉乔，鲁冰新，肖天亮，翟锦

（北京航空航天大学化学学院,仿生智能科学与技术教育部重点实验室,北京100191）

摘要离子整流性是纳米离子通道的一个重要特征,具有整流性的离子通道体系也被称为纳米流体二极管.

本文比较了离子通道的泊松-能斯特-普朗克(PNP)方程组模型和固体半导体的扩散-漂移模型,提出可以使用

二极管器件的仿真电路模拟器(SPICE)电路模型对离子通道体系的电流-电压(I-V)曲线进行模拟.以锥形离子

通道的PNP数值模型的计算结果为基础,通过对这一体系进行讨论,给出一个锥形离子通道的SPICE电路模

型,它可以较好地模拟I-V特性曲线.离子通道SPICE电路模型的建立可用于研究纳米流体二极管作为一个器

件在电路中的应用.

关键词离子通道；整流性；纳米流体二极管；泊松-能斯特-普朗克方程；仿真电路模拟器电路模型

中图分类号O646文献标志码Adoi：10.7503/cjc

SimulationofSPICEModelofDiodeforConical

Ion-channelI-VCurve

JIANGJiaqiao，LUBingxin，XIAOTianliang，ZHAIJin*

（KeyLaboratoryofBio⁃inspiredSmartInterfacialScienceandTechnology，

MinistryofEducation，SchoolofChemistry，BeihangUniversity，Beijing100191，China）

AbstractIonrectificationisamainpropertyofnanochannel.Theion-channelsystemwithioncurrentrectification

isso-callednanofluidicdiode.Inthispaper，Poisson-Nernst-Planck（PNP）equationsmodelofion-channelanddiffu⁃

sion-driftmodelofsemiconductordiodewerecompared，andSimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis

（SPICE）modelofdiodewassuggested，whichcouldbeusedforI-Vcharacteristiccurvessimulationofion-channel

system.ComparingI-Vcurvesofseveralkindsofion-channelfromreportedworks，thatisfoundthatbesidesthe

saturatedcurrenttermofidealPNjunctiondiodeSPICEmodel，thereversesaturatedcurrenttermshouldbeusedto