第七篇无机材料.docx

第七章 无机材料

教学目的：

把握纯金属的结构的大体形式；把握金属间隙结构和金属间隙结构对金属的性质的阻碍；熟悉几种新型金属材料及其应用；熟悉陶瓷个时期的进展（传统陶瓷、精细陶瓷、纳米陶瓷）；了解材料科学进展的概况。

教学重点：

纯金属的结构的大体形式；

金属间隙结构和金属间隙结构对金属的性质的阻碍。

教学难点：

金属间隙结构对金属的性质的阻碍

第一节 材料科学进展概况

（自学）

第二节 金属材料类

一、金属键和纯金属的晶体结构

金属晶体

由于金属原子的电离能和电负性都比较小，最外层的价电子容易离开原子的束缚而在金属中自由地运动，这种电子被称为自由电子。金属原子失去了价电子后成为金属正离子，周期性排列的金属正离子在自由电子的气氛中，二者紧密地胶合在一路，形成金属晶体。

事实上整块金属能够看做一个庞大的分子，例如一块金属钠是由N个钠原子形成的庞大分子，N数值专门大×1023)。Na原子的电子层结构为1s22s22p63s1，N个Na原子中能量相同的原子轨道通过线性组合，形成N个分子轨道，分子轨道

的能级超级接近，能级间隙极小，因此N个分子轨道能级形成一个能带。金属Na中有1s能带、2s能带、2p能带和3s能带。内层原子轨道形成较窄的能带，外层原子轨道形成的能带较宽。各个能带按能量高低排列起来，成为能带结构。图7-1为金属Na和Mg的能带结构示用意。已填满电子的能带叫满带，没有电子的能带叫空带，尚未填满电子的能带叫导带。金属Na中1s，2s，2p能带是满带，3s能带是导带。具有导带的金属能导电。金属Mg的3s能带是满带，似乎不能导电，但从图7-1中看到，金属Mg的3s能带与3p能带有交叠，因此仍是能够导电。

绝缘体的能带结构有满带和空带，满带和空带之间的能量间隙E≥5eV，故

g

不能导电。半导体的能带结构与绝缘体类似，也只有满带和空带，但能量间隙

E＜3eV，电子容易从满带被激发到空带，现在，空带取得了电子变成导带，满

g

带失去了部份电子，产生了空穴，也成了导带，因此能够导电。例如Si的能量间隙(也称禁带宽度)为，Ge为，GaAs为。图7-2为导体、绝缘体和半导体的能带结构特点示用意。

研究纯金属的结构，最简单的是用球密堆积的模型。假想金属原子都是刚性圆球，那么在一个平面上，等径圆球最紧密的排列只有一种方式，即每一个圆球的周围与6个圆球相邻接，并显现6个三角形间隙，如此的一层称为密置层，如图7-3(a)所示，而7-3(b)那么为非密置层。

六方最密堆积

六方最密堆积也称为A3型堆积。有两个密置层，别离记为A和B。A和B如何堆积才是最紧密呢？把B层的圆球放在A层的间隙上，那么A，B两层的相对位置错开了60度。然后按AB|AB|…重复堆积。这种堆积称为六方最密堆积，见图7-4，从这种最密堆积中可掏出一个六方晶胞。

有3个密置层，别离记为A，B，C。A，B两层按上述方式堆积好以后，C层位置既不同于A，也不同于B，组成ABC|ABC|…重复堆积。这种堆积称为立方最

密堆积，可从中掏出一个面心立方晶胞，也称A1型堆积。图7-5为立方最密堆积示用意。

在一个密置层中只有三角形间隙，当两个密置层堆积起来后，原先的三角形间隙变成四面体间隙或八面体间隙，如图7-6所示。

A1和A3型堆积是等径圆球堆积得最紧密的两种形式，它们的堆积密度均为％，配位数12，这是两种最重要的堆积方式。

记为A2型堆积，它不是密置层的堆积，堆积密度比A1，A3型低，只有％。

二、钢铁

地壳中铁要紧以氧化物、硫化物和碳酸盐形式存在。重要的矿石有赤铁矿(FeO)、磁铁矿(FeO·FeO)、褐铁矿(FeO·2Fe(OH))、菱铁矿(FeCO)和黄铁

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矿(FeS)等。

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置铁矿石于高炉中冶炼，冶炼进程实为还原反映，以焦炭为还原剂，再加一些石灰石和二氧化硅等作助熔剂。冶炼时先将处于高炉基层的焦炭点燃，使其生

成CO，CO与灼热的焦炭起反映生成CO，反映可表示如下：

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C+O→CO

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CO+C→2CO

2

一氧化碳气体能将铁矿石中的铁还原出来

FeO+3CO→2Fe+3CO

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由于炉中温度很高，还原出来的铁被熔化为铁水，铁水可从高炉中放出。因为在炉中铁水和碳接触，铁水中含碳量较高，约有3％～4％，这种铁称为生铁。生铁性脆，一样只能浇铸成型，又称铸铁。生铁中还含硫、磷、硅、镁等其他杂

质。处于熔融状态的铁水，其中碳以FeC的形式存在，待铁水慢慢冷却，FeC

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那么分解为铁和石墨，现在的