2022-2023学年高二物理竞赛课件:静电屏蔽(Electrostatic+Shielding).pptx

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静电屏蔽(Electrostatic

Shielding)

静电屏蔽(ElectrostaticShielding)

一、空腔导体可以屏蔽外电场(外电场进不去)

二、接地的空腔导体可以屏蔽内电场(内电场出不来)。

O₃+σ₄=0

板内电场为零,选如图高斯面

选如图高斯面,电通量为零。

O₂+σ₃=0

板内任一点P的场强是4个带电平面的电场的叠加,

由电荷守恒定律可知:

并且为零,所以

0

2

电场的分布为:

在I区,

在Ⅱ区,

在Ⅲ区,

即:σ₁+Q₂+O₃-σ₄=0

联立求解可得:

方向向左

方向向右

方向向右

;(

@

由高斯定理仍可得σ,+σ₃=0

金属板内P点的场强为零,所以C₁+σ2+O₃=0

联立求解可得:

电场的分布为:

(2)如果把第二块金属板接地,其

右表面上的电荷就会分散到地球

表面上(和曲率成正比),所以

₄=0

第一块金属板上的电荷守恒仍给出

解一:导体表面某处的面元dS处的面

电荷密度为σ,它在其两侧紧邻处的

场强为E₁=E₂=o/2e,。

除dS外,导体表面其它电荷在

dS内侧紧邻处的场强为E₃,在外侧

紧邻处的场强为E₄。

例荷面密度为σ的无限大均匀带电平面,其两侧

(或有限大均匀带电面两侧紧邻处)的场强为σ/2eo

静电平衡的导体表面某处面电荷密度为σ,在表面外紧邻处的场强为σ/e₀。为什么前者比后者小一半?

E

E₁℃\E₂

导体

其它电荷产生的电场在dS处连续,故E₃=E

由场强叠加原理和静电平衡条件得

E内=E₁-E₃=0,

所以E₁=E₂=E₃=E₄。

因此由场强叠加原理得导体表面外

紧邻处的场强

E外=E₂+E₄=2E₂=σ/e₀

解二:内场为零,高斯面有效面只有一个面,面积减半,电荷数一样,场强自然加倍。

山E

E₁G\E₂

导体

例:半径为R,的金属球电量为q,外面有一同心金

属球壳电量为q₂,内外半径分别为R,和R₃。求场强

和电势分布。场强积分法

P

92

注意和前面的均

匀带电球相区别

解:由高斯定理可得场强分布:

rR,E=0

R₂rR₃,E=0

电势分布:当rR时

当R₁rR₂时

3

91

92

当R₂rR₃时

当rR₃时

当R₁rR₂时

U:球壳外部,U,U:球壳内部

球壳内部,U=U₁+U,+U₂

R

91

Q2

电势分布:当rR时

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