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Cu/低k互连系统可靠性研究的开题报告

一、研究背景及意义

随着电子产品的迅速发展，芯片尺寸逐渐缩小，芯片上的互连线也变得更加复杂。为了加快数据传输速度和提高系统性能，现在大多数芯片都采用了Cu（铜）/低k材料互连系统。这种互连系统由于具有低介电常数、低热传导率的特点，能够提高信号传输速度和降低能耗，因此被广泛应用于高速和高密度的集成电路设计中。

然而，Cu/低k互连系统的可靠性问题也日益凸显。由于低k材料本身的脆弱性和机械强度低、热膨胀系数与铜材料不匹配等原因，Cu/低k互连系统容易发生剥离、断裂、导通故障等问题，严重影响了芯片的可靠性和寿命。因此，对Cu/低k互连系统的可靠性问题进行研究，对于提高系统的稳定性和可靠性具有重要意义。

二、研究目的与内容

本文旨在针对Cu/低k互连系统的可靠性问题进行研究，主要包括以下三个方面：

1.分析Cu/低k互连系统的可靠性问题及其成因。通过对Cu/低k互连系统的工作环境、应力情况、材料特性等方面的分析，找出导致Cu/低k互连系统可靠性问题的主要原因。

2.研究Cu/低k互连系统的可靠性测试方法。结合国内外现有的可靠性测试方法，比较其优劣，提出适合Cu/低k互连系统的可靠性测试方法。

3.探究Cu/低k互连系统的可靠性改进措施。根据上述分析结果，提出可行的Cu/低k互连系统可靠性改进措施，探索化学镀银、植入硅等技术在Cu/低k互连系统中的应用，以提高其可靠性和稳定性。

三、研究方法

本文主要采用实验研究和文献综述相结合的方式进行，具体方法如下：

1.文献综述：通过查阅相关文献，对Cu/低k互连系统的可靠性问题及其成因、可靠性测试方法、可靠性改进措施等方面进行综合分析。

2.实验研究：针对Cu/低k互连系统的可靠性问题，设计并制作Cu/低k互连系统的试片，在不同工作环境下对其进行可靠性测试，比较不同测试方法的优劣，评估可靠性改进措施的效果。

四、预期成果

通过本文的研究，预计可以达到以下成果：

1.深入了解和分析Cu/低k互连系统的可靠性问题及其成因，为后续的研究提供基础和依据。

2.提出适合Cu/低k互连系统的可靠性测试方法，为测试人员提供指导。

3.探索化学镀银、植入硅等技术在Cu/低k互连系统中的应用，为提高系统的可靠性和稳定性提供可行的措施。