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BCD工艺及发展状况综述

摘要：随着市场对低功耗、高效率节能功率电子产品需求不断扩展，单芯片智能功率集成电路（SPIC）得到了迅猛发展。当前，SPIC制造重要采用一种称为BCD（BipolarCMOSDMOS）集成工艺技术，本文依照实际工艺电压原则着重阐述了高压BCD、大功率BCD以及高密度BCD工艺各自特点及发展原则，同步简介了世界知名IC制造厂商并阐述了BCD工艺整体发展特点及趋势。

核心词：SPIC功率集成技术BCD工艺

1、引言

智能功率集成电路（SPIC）是指将高压功率器件及低压信号解决电路和外围接口、检测、保护等功能电路集成到单芯片上集成电路技术。SPIC发展依赖于当前最重要功率集成技术——BCD工艺，BCD工艺特点是将硅平面工艺用到功率集成上，该工艺是一种可以将双极、CMOS和DMOS器件同步集成到单芯片上技术，1986年，由意法半导体公司率先研制成功了第一代BCD工艺，当时技术被称为MultipowerBCDtechnology[1]，是一种4μm60V工艺，在老式结隔离双极工艺中整合进了纵向DMOS（VDMOS）构造，该工艺采用了12张掩膜版，其工艺截面构造如图1所示：

图1ST公司第一代BCD工艺集成器件剖面图[1]

在功率应用领域，与老式双极功率工艺相比BCD工艺具备明显优势，最基本优势就是使得电路设计者可以在高精度模仿双极器件，高集成度CMOS器件和作为功率输出级DMOS器件之间自由选取。由于DMOS具备高效率(低损耗)、高强度(无二次击穿)、高耐压、固有源漏二极管存在(作用类似续流二极管)和高速开关特性，因而，DMOS特别适合伙为功率开关器件，并且其制造工艺可以和和硅栅CMOS制造工艺兼容，从而有助于功率集成。整合好BCD工艺可大幅减少功耗，提高系统性能，增长可靠性和减少成本。

通过近三十年发展，BCD工艺技术已经获得了很大进步，从第一代4μmBCD工艺发展到了第六代0.13μmBCD工艺，线宽尺寸不断减小同步也采用了更先进多层金属布线系统，使得BCD工艺与纯CMOS工艺发展差距缩小；另一方面，BCD工艺向着原则化模块化发展，其基本工序原则化，混合工艺则由这些基本工序组合而成，设计人员可以依照各自需要增减相应工艺环节。当今BCD工艺中CMOS与纯CMOS完全兼容，既有图形单元库可以直接被混合工艺电路调用。

总来说，此后BCD工艺重要向着高压，高功率和高密度这三个方向发展，同步提高与CMOS工艺工艺兼容性，并针对更多应用需要灵活化工艺设计；此外，BCD技术与SOI技术相结合也是一种非常重要趋势，当前某些新兴BCD技术也已经形成体系，如：

HVCMOS-BCD重要用于彩色显示驱动，RF-BCD重要用于实现手机RF功率放大输出级，BCD-SOI重要用于无线通信。BCD工艺发展使更多复杂功能可以集成。这使SPIC设计变得更加灵活、以便,设计时间和费用大幅度减少。这样便浮现了将微解决器、存储器等系统核心单元与接口、电源、保护等单元单片集成高智能化功率系统（PSoC），即面向系统高智能功率技术(systemorientedtechnology)。

2、BCD集成电路技术研究进展

2.1国内外知名厂商及其工艺

某些知名国际半导体公司在功率集成技术领域处在领先地位，如德州仪器（TI）、仙童半导体（Fairchild）、PowerIntegration(PI)、国际整流器公司（IR）、飞思卡尔（Freescale）、意法半导体（ST）、Philips、三菱等。国内拥有BCD工艺线厂商比较有限，重要有台积电（TSMR）、中芯国际、华虹NEC、上海宏力半导体、上海新进半导体、华润上华等。

ST公司是欧洲功率半导体最大厂商，其首创BCD工艺在1980年代中期引入时，立即就成为几乎所有智能功率应用首选。通过不断改进、分化，ST公司开发了一系列对全球功率IC影响深远BCD工艺,如BCD3（1.2μm）[2]、BCD4（0.8μm）[3]、BCD5（0.6μm）[4]、BCD6（0.35μm）[5]。最新BCD工艺是基于VLSICMOS平台0.18μmBCD8[6]和0.13μmBCD工艺。

NXP公司（原飞利浦半导体公司）在BCD工艺方面也做了大量研究，特别是SOIBCD方面，NXP公司已经推出了一系列基于自己开发SOIBCD工艺平台功率集成芯片产品，在低噪声，高可靠性，高频率规定应用领域占据了很大市场份额。

TSMC在-间推出了模组化BCD工艺，此新BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特工作电压范畴，可支持各种LED应用，涉及：LCD平面显示屏背光源、LED显示屏、普通照明与车用照明等，且工艺横跨0.6μm至0.18μm等各种世代，并有数个数字核心模组可供选取。

中芯国际推出BCD工