电容器陶瓷高频.ppt

第二章电容器陶瓷;片状电容器

贴片式多层陶瓷电容器MLCC;1.电容的基础知识;通交隔直

在充电或放电的过程中，两极板上的电荷有积累过程，或者说极板上的电压有建立过程，因此电容器上的电压不能突变。

;2.电容器的分类;陶瓷电容器以其体积小、容量大、结构简单、优良的高频特性、品种繁多、价格低廉、便于大批量生产而广泛应用于家用电器、通信设备、工业仪器仪表等领域。

陶瓷电容器是目前飞速发展的电子技术的基础之一,今后,随着集成电路（IC)、大规模集成电路(LSI)的发展,可以预计,陶瓷电容器将会有更大的发展。;1、对电容器瓷的一般要求：

①介电常数大，以制造小体积、重量轻的陶瓷电容器，ε↑→电容器体积↓→整机体积、重量↓

②介质损耗小，tgδ=（1~6）×10-4，保证回路的高Q值。高介电容器瓷工作在高频下时ω↑、tgδ↑。

③对I类瓷，介电系数的温度系数αε要系列化。对II类瓷，则用ε随温度的变化率表示（非线性）。;④体积电阻率ρv高（ρv1012Ω·cm）

为保证高温时能有效工作，要求ρv高

⑤抗电强度Ep要高

a、小型化，使Ε=V/d↑

b、陶瓷材料的分散性，即使ΕEp，可能仍有击穿

;2、电容器瓷分类：;Ⅰ类瓷是电容量随温度变化稳定度高的电容器瓷，主要用于高频谐振回路中。Ⅰ类瓷主要以钛、锆、锡的化合物及固溶体为主晶相。（主要用于：高频热稳定电容器瓷，高频热补偿电容器瓷）

Ⅱ类瓷以高介电常数为特征，为具有钙钛矿型结构的铁电强介瓷料，如BaTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3。（主要用于：低频高介电容器瓷）

Ⅲ类瓷：半导体陶瓷;高频介质陶瓷：制造Ⅰ类瓷介电容器（GB3663-83)的陶瓷电介质。与装置瓷、铁电陶瓷相比：

①介电常数高，8.5～900；

②介质损耗小，一般tgδ小于6×10-4；

③介电系数温度系数的范围很宽，且要求系列化。

;一、高频电容器瓷的分类

二、值不同的原因

三、ε的对数混合法则

四、产生高介电系数的原因

五、含钛陶瓷的介质损耗;一、高频电容器瓷的分类;有正、负、零，取决于不同温度下质点的极化程度，也决定于相应温度下单位体积的质点数。

a、?TiO2、CaTiO3

b、?CaSnO3、CaZrO3

c、?BaO·4TiO2

;三、ε的对数混合法则;由以上法则，在生产实践中，可用具有不同εi、αi材料通过改变浓度比来获得满足各种温度系数要求的材料。

如：由αε0+αε0的瓷料获得αε≈0的瓷料。;金红石型和钙钛矿型结构的陶瓷具有特殊的结构，离子位移极化后，产生强大的局部内电场，并进一步产生强烈的离子位移极化和电子位移极化，使得作用在离子上的内电场得到显著加强，故ε大。

钛酸锶铋也是利用SrTiO3钙钛矿型结构的内电场，而加入钛酸铋等，使之产生锶离子空位，产生离子松弛极化，从而使ε增大。;低温下高频电容器瓷的tgδ较小，但在一定的频率下，当温度超过某一临界温度后，由离子松弛极化和电子电导所引起的大量能量损耗，使材料的介质损耗急剧地增大。

另外：①TiO2的二次再结晶，破坏晶粒的均匀度，使材料的机械性能和介电性能恶化；②Ti4+→Ti3+→tgδ↑;一、热补偿电容器瓷

二、热稳定电容器瓷

三、温度系数系列化的电容器瓷;一、温度补偿电容器陶瓷

高频温度补偿电容器陶瓷的介电常数在650以下，介电常数的温度系数较小，而且可通过组成的调整，使介电常数的温度系数灵活地变化。介电常数的温度系数常为负值，用来补偿回路中电感的正温度系数，使回路的谐振频率保持稳定。

1.金红石瓷

ε：80～90，αε：-750～-850×10-6/℃

2.钛酸钙陶瓷

ε：150～160

αε：-2300×10-6/℃(-60～120℃)

-(1500～1600)×10-6/℃(+20～80℃);1.金红石瓷

金红石瓷是一种利用较早的高介电材料，其主晶相为金红石（TiO2）。

介电系数较高：ε约80～90,αε有较大的负值约为（-750～-850）×10-6/℃,介质损耗很小。;（1）配方中各种组成的作用或要求;自然界中TiO2有三种晶型（同质异型体），其性能特点如下：;由此可见，金红石结构最稳定、最紧凑、介电系数最大、性能最好，锐钛矿最差。然而，工业用TiO2主要是锐钛矿和微量的金红石，因此，必须在1200℃~1300℃氧化气氛中预烧，使TiO2全部转变为金红石结构，同时也使产品在烧结时不致因晶型转变、体积收缩过大而变形或开裂。

;??Ti02的活性、晶粒大小及烧结温度与预烧温度有关。经预烧过的Ti02活性降低，因此工厂一般采用未预烧和预