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7.5热释光和光释光

半导体中的杂质和缺陷，在带隙中形成局域能级。如上一节讨论的，它们能

够对带间复合进行某种程度上的调制。本小节要讨论的是某些较深，且为亚稳态

的局域能级，在一定温度范围内处在这种能级上的载子可以长期稳定地处在这样

的状态。这意味著这类陷阱将成为储存激发信息（电子或空穴）的场所。如果对

材料进行某种激励，例如加热或光照，陷阱中俘获的电子或空穴可以被重新释放

出来，并复合发光。对于已经储存了电子（或空穴）的材料，借助于加热使

陷阱中的电子（或空穴）获释并复合发光，被称为热释光(简

记为)，或热激励发光()；借助于光的激使陷阱中的电子（或

TLTSL

空穴）获释并复合发光，被称为光释光或光激励发光()。

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图7.5-1热释光和光释光示意图

图给出了完整的和过程的示意图。其中(a）描述了激发过程，

7.5-1T