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Graphene体系中的隧穿效应的开题报告

1.研究背景和目的

Graphene是目前研究最活跃的材料之一，具有独特的二维结构和许多优异的物理和化学性质，例如高电子迁移率、优异的机械强度、高化学稳定性等。其中，隧穿效应是一个非常重要的物理现象，即当电子或能量越过势垒时，在两侧电子的波函数有一定程度重叠，从而可能实现非常弱的电流或能量传输。在Graphene体系中，由于其电子的传输性质的特殊性质，隧穿效应的表现更为明显，因此有必要深入研究它的各种特性和衍生现象。

本文旨在通过对Graphene体系中的隧穿效应及其特性进行研究，进一步探讨该现象对材料性质和实际应用的影响，为进一步发展和应用Graphene材料提供理论和实践上的支持。

2.研究方法

本研究将基于现有模型和方法，采用理论和模拟研究相结合的方法，探究Graphene体系中隧穿效应与外部场的相互作用、电场效应等特性和变化规律。具体研究方法包括：

（1）理论模拟及分析：采用密度泛函理论、量子力学计算等方法，理论分析Graphene体系中隧穿效应与反映材料内部特性的参数（如波函数、带隙、自由度等）之间的关系。

（2）数值计算：通过有限元法等方法，对Graphene体系中的电子传输行为及其与隧穿效应之间的相互关系进行定量计算和分析。

（3）材料实验：在模拟分析的基础上，将Graphene样品加以制备和表征，并利用电场、电子激发光子等手段，对隧穿效应中的电子输运行为、材料特性等进行实验研究验证。

3.研究预期和意义

隧穿效应在材料科学和纳米电子学中具有广泛的应用价值和理论意义，例如可以用于改变材料的电学性能、制备基于电子输运的新型器件和传感器等。因此，对Graphene体系中的隧穿效应进行深入研究，对于把握Graphene的基本特性及其可能的实际应用，具有十分重要的理论和实践意义。

预期的具体研究成果包括：

（1）获得Graphene体系中的隧穿效应及其特性与反映材料内部特性的参数（如波函数、带隙、自由度等）之间的关系、随时间和空间变化的规律等。

（2）探究Graphene体系中隧穿效应与电场效应、外部场等的相互作用，以及它们对材料性质和实际应用的影响。

（3）发展一种可用于实际生产和实验的制备Graphene材料及其相关器件的方法，为进一步应用Graphene材料提供技术基础和理论支持。