Li掺杂ZnO的XRD微结构.pptx

Li掺杂ZnO的XRD微结构;ZnO是直接带隙半导体，室温禁带宽度为3．37eV，激子束缚能为60meV。常用Li作为n型ZnO的P型掺杂物，能提高其铁磁性。

但是，“Li+的半径为68pm，而zn2+的半径为74pm，Li+在ZnO中的晶格占位有间隙位和替代位。因此研究Li掺杂ZnO的品格占位、微结构很有必要。本文采用X射线衍射法(XRD)法测鼋分析Li掺杂ZnO的品格占位和微结构。;l实验

采用溶胶．凝胶法，以二水醋酸锌为Zn的前驱物。以二水醋酸锂为Li掺杂源，溶于乙二醇甲醚溶剂中，使溶剂浓度为0．5mol，然后用磁力搅拌器在50℃温度下搅拌30min至溶质完全溶解，再添加与二水醋酸锌等摩尔比的一乙醇胺作为活化剂以促

进金属离子的溶解，继续搅拌60min得到澄清均质溶液，陈化12h后用烘干机120℃烘干10h，得到不同Li：Zn摩尔配比的Zn1-xLixO(z=0，0．004，0．02，0．08，0．40，0．70)样品。所得到样品分别用A1、A2、A3、A4、A5和A6标识。对A1、A2、A3、A4和A5分别用350oC和450℃温度烧结60min，对A6样晶分别用450℃、630℃和800oC温度烧结60min。采用xrd测试样品。;2结果与讨论

2．1XRD微结构分析

图1为不同Li配比含最ZnO的XRD图谱，其中图l(a)为350℃烧结温度下的XRD图，图l(b)为450℃烧结温度下的XRD图，插图为局部放大图。从图1(a)可以看出，A2、A3、A4、A5与A1的的衍射峰位均一一对应，经Eva软件分析知为纤锌矿六方结构ZnO(卡片号为36一1451)，未有杂质峰出现，从图1(a)插图局部放大图可以看出，Al、A2、A3、A4和A5的衍射峰先向大角度移动，后向小角度移动，对应晶格常数先减小再增加。图1(b)为烧结温度450℃时不同Li配比含量ZnO的XRD图谱的，A4、A5均出现有杂质峰，为了更好地分析杂质峰对应的物相，增加Li配比含量至70％(摩尔比)，经Eva软件分析知杂质峰为单斜晶系Li2CO3(卡片号为09—0351)，从图1(a)插图局部放大图可以看出，其ZnO衍射峰位变化趋势与烧结温度为350℃的变化趋势相同，对应晶格常数变化趋势相同。;为研究Li2CO3，杂质相随温度其结晶状况变化情况，对A6样品分别用450℃、630℃和800℃各烧结60min，其对应的XRD图谱见图2所示，从图2叮以看出，当温度从450℃升高到630℃时，Li2CO3对应衍射峰明显变高，当烧结温度增加到800℃时，Li2CO3对应的衍射峰基本消失。结合前面图1(b)

可知，Li2CO3物相在温度过低时难以结晶，因此无

法用XRD探测到，当温度接近630℃时，结晶性能

提高，当温度升高到800℃时，Li2CO3基本分解。

从图2插图局部放大图可以看出，ZnO衍射峰随烧

结温度升高向大角度移动，对应晶格常数变小。