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1杂质分析改善日期:2009-10-22Confidential
Vesuvius不同型号坩埚中心长晶时间比较2Vesuvius坩埚类型统计个数长晶时间目标时间上部外径上部内径底部外径底部内径高度SR(波兰)1620.6h21.5h/TrinaCCR(定制)621.1h878±4838±4878±4829±4420+0/-5XF13169(加厚)423.1h/WE(苏州)1020.9h878±4841±4878±4829±4420+0/-5备注:为了便于对比，数据来自于1#多晶。总结:Vesuvius坩埚有4种类型，具有不同的尺寸，所以长晶时间存在着差异。目标时间：21.5h
Vesuvius不同型号坩埚收率比较3总结:TrinaCCR和XF13169使用效果最好，从11月份开始我们只使用这两种坩埚，并且固定机台投。坩埚类型低少子寿命杂质微晶裂纹收率VesuviusSR(波兰)18.4%0.6%0.4%0.1%66.7%TrinaCCR18.2%0.7%0.1%0.0%67.2%XF1316917.8%0.5%0.3%0.3%67.4%WE(苏州)18.7%0.6%0.3%0.1%66.4%Toshiba19.1%1.0%0.1%0.0%66.0%SPM17.9%0.8%0.1%0.2%67.2%
杂质影响趋势图及分布图4头部杂质形成的原因措施1.不同坩埚具有不同的长晶性质Vesuvius坩埚性质与SPM存在较大差异，Recipe需重新调整2.Vesuvius坩埚之间存在较大差异从11月份开始只使用效果最好的TrinaCCR和XF13169，并且固定机台投3.装料量的不断降低装料量的不断下降导致长晶时间异常，Recipe需重新调整4.二硅片判断头部杂质后多截5mm假如一个晶锭有3根棒在低少子范围内有杂质，那么因为反截5mm而导致多晶杂质比例上升0.2%总结:头部杂质比例超出50%，需重点改善。杂质影响趋势图杂质影响分布图（10月份）
头部杂质改善试验进展5目前存在的问题措施1.Vesuvius坩埚长晶速率明显快于SPM坩埚2.装料量下降至400kg，晶锭高度不断降低，后期长晶速率较难控制优化Vesuvius坩埚各阶段长晶速率，以使其与SPM坩埚长晶速率相近Vesuvius长晶速率优化前Vesuvius长晶速率优化后几乎重合相差较大长晶速率优化前杂质延伸长晶速率优化后头部无杂质
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