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本发明公开了一种新型本征非晶硅钝化层的制备工艺，包括如下步骤：利用PECVD设备在制绒清洗后的晶硅基底上制备第一本征非晶硅薄膜，沉积过程中控制沉积功率分3‑5个阶段逐步降低，沉积功率每阶段的降幅是等值或不等值，功率密度从50‑80mW/cm2梯度递减至20‑40mW/cm2，最终阶段的沉积功率相较最初阶段的沉积功率降低20％‑50％；对第一本征非晶硅薄膜进行氢等离子体处理；沉积第二本征非晶硅薄膜；沉积第三本征非晶硅薄膜。本发明在沉积第一本征非晶硅薄膜时，沉积功率沿着薄膜生长方向梯度递减，一方面可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073481A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410210622.0
(22)申请日2024.02.26
(71)申请人福建金石能源有限公司
地址36
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