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本发明涉及一种基于AlN/AlScN/AlN堆叠结构的忆阻器、制备方法及其应用，属于电子器件技术领域。所述忆阻器包括自下而上依次设置的下电极、介电层和上电极，其中，所述介电层为三层AlN/AlScN/AlN堆叠结构，AlN、AlScN、AlN的厚度比为1:0.5:1~1:2:1。基于界面工程设计的三层AlN/AlScN/AlN堆叠忆阻器，展现出极快开关速度、低操作电压、超低功耗等优异性能；通过耦合铁电/压电极化效应影响导电细丝形成过程，在RESET操作下表现出显著的渐变开关行为，可使器件具有更高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118076216A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410228040.5
(22)申请日2024.02.29
(71)申请人北京理工大学
地址100081
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