半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道.pdfVIP

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  • 2024-05-25 发布于四川
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半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道.pdf

本发明公开了一种半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道,涉及半导体封装技术领域,其技术方案要点是:包括导轨底板和气体保护上盖板,且两者之间形成充满保护气体的加热腔体,气体保护上盖板上开设有共晶窗口,气体保护上盖板通过若干输气管朝向加热腔体内输入保护气体,保护气体的温度大于外部空气的温度,保护气体的密度小于外部空气的密度,导轨底板上开设有若干通槽,通槽内滑动连接有输送件,输送件从导轨底板的底部伸入到加热腔体内,通槽处的保护气体朝向气体保护上盖板流动,通槽处的外部空气朝向远离导轨底板的方向流动。本发

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118073254A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202410044196.8

(22)申请日2024.01.11

(71)申请人江苏慧乔半导体有限公司

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