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本发明涉及芯片制造技术领域，具体而言，涉及一种异质材料的真空原位键合方法及装置；该键合方法包括：将非硅基材料样品和硅基材料样品进行等离子体活化处理；等离子活化处理使用的等离子气体包括含有卤族元素的气体；将经等离子活化处理后的非硅基材料样品和硅基材料样品在含铵根离子的水溶液蒸气中处理，实现表面软化及官能团修饰；在真空条件下，将经蒸气处理后的非硅基材料样品和硅基材料样品对准贴合后进行退火处理，得到键合样品对。采用本发明的方法，可以实现非硅基材料与硅基材料的真空原位键合，能够显著提高非硅基材料样品和硅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073209A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410231575.8
(22)申请日2024.03.01
(71)申请人哈尔滨工业大学
地址15000
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