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2024-05-25 发布于四川
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存储器结构的形成方法.pdf

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本揭露提供一种存储器结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底中具有多个隔离结构，隔离结构包括突出于衬底上的多个第一突出部；以多个第二突出部取代这些第一突出部，以在第二突出部之间定义出多个浮置栅极预定区，其中包括：在第一突出部之间及衬底上方，形成填充绝缘材料；以及对填充绝缘材料及第一突出部执行图案化工艺，以形成定义出上述浮置栅极预定区的第二突出部；以及于浮置栅极预定区中形成多个浮置栅极。可以减少相关工艺对于关键尺寸的影响，不但可以增加浮置栅极的CDU，还可以避免图案化工艺对主动区的损坏，进而增加存储器

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118076106A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202211463887.9

(22)申请日2022.11.22

(71)申请人华邦电子股份有限公司

地址中国台

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