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本发明提供一种外延源漏金属硅化物的形成方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出NMOS和PMOS的有源区，NMOS和PMOS的有源区上形成均有栅极结构，栅极结构包括栅极叠层以及形成于栅极叠层侧壁上的第一侧墙结构，NMOS和PMOS的有源区上分别形成有位于栅极结构两侧的第一、二外延层作为源、漏区，栅极结构的高度高于第一、二外延层；依次形成覆盖栅极结构、第一、二外延层的第二、三侧墙材料层，第二侧墙材料层的材料为SiOCN或SiCN，之后回刻蚀第二、三侧墙材料层形成第二侧墙结构；在衬底上形成覆盖栅极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073284A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410224196.6
(22)申请日2024.02.28
(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司
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